《韓國經濟日報》報導，傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 取得重大進展，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星電子將會發布該公司所研發的 MRAM 記憶體。
由於標準型記憶體 DRAM、NAND Flash 等微縮製程已逼近極限，目前全球半導體巨擘皆正大舉發展次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體 (MRAM)」，與含 3D XPoint 技術的「相變化記憶體 (PRAM)」及「電阻式動態隨機存取記憶體 (RRAM)」。
上述三類次世代記憶體皆具有非揮發性記憶體技術，兼具高效能及低耗電之特性，估計這類次世代記憶體寫入速度，將比一般閃存記憶體還要快上十萬倍。
目前三星電子正大力發展 MRAM 記憶體，而另一半導體巨擘英特爾 (INTC-US) 則是強攻含 3D XPoint 技術的 PRAM 型記憶體。
全球最大半導體代工廠台積電 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日對外說明，台積電絕對不會踏入標準型記憶體領域，因為台積電目前已具備「量產」MRAM 及電阻式動態隨機存取記憶體 (RRAM) 等新型記憶體之技術。
據韓國半導體業內人士透露，全球半導體巨擘正在次世代記憶體市場內強力競爭，這很可能將全面改變半導體市場的發展前景，並成為未來半導體代工的主要業務之一。
《韓國經濟日報》表示，磁電阻式隨機存取記憶體 (MRAM)、相變化記憶體 (PRAM)、電阻式動態隨機存取記憶體 (RRAM) 等三大次世代記憶體中，又以 MRAM 的處理速度最快，但也是最難量產的記憶體類型。
據了解，目前歐洲最大半導體商恩智浦半導體 (NXPI-US) 已經決定採用三星電子的 MRAM 記憶體，以應用在相關的物聯網裝置之上。
