緊追台積電腳步，三星電子今 (16) 日於官網宣布，已完成 5 奈米 FinFET 製程技術研發，可為客戶提供樣品。
三星官網資料顯示，相較於 7 奈米，5 奈米 FinFET 製程可將邏輯區域效率提高 25%，性能提升 10%，且功耗更低。
三星強調，其晶圓製造業務，與｢三星高級代工生態系統｣(SAFE) 合作夥伴，有著密切合作，為 5 奈米製程，提供了設計基礎。
三星並稱，在 6 奈米、7 奈米製程技術方面，亦有所進展，今年將出貨 7 奈米製程產品。
三星電子晶圓事業執行副總 Charlie Bae 表示，完成 5 奈米 FinFET 製程技術研發，證明了三星在極紫外線微影節點方面的能力。
Charlie Bae 指出，包括第五代行動通訊 (5G)、人工智慧 (AI)、高效能運 (HPC)，以及自駕車等領域，對 5 奈米 FinFET 製程技術，都有高度需求。
