紫光建DRAM廠 研調：製程技術是首要挑戰

中國紫光集團日前宣布，將在重慶投資建置 DRAM 總部研發中心與 DRAM 廠，DRAM 廠預計 2021 年投產。對此，研調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 表示，紫光此舉顯示在福建晉華遭美國禁售後，及受美中貿易摩擦影響，中國加速自主開發 DRAM 產品的進程，而製程技術開發將是紫光首要挑戰。

紫光集團已於 6 月 30 日公告成立 DRAM 事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，執行長則由高啟全擔任，代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化，也更確立中國自主開發半導體的發展方向。

根據 TrendForce 推估，紫光 DRAM 事業群首先要面對的挑戰，將是相關製程技術的開發。當時的福建晉華，在美國禁售令前，已與聯電 (2303-TW) 在技術上密切合作，使製程與產品可按照原訂計畫進行；合肥長鑫也與奇夢達有技術交互授權，有助產品開發。

紫光集團方面，旗下 IC 設計公司紫光國微具有 DRAM 相關產品研發實力，但製程開發至今仍未有合作對象，未來若以自主開發方向進行，至少需 3-5 年研發時間，代表就算 2021 年工廠完工、甚至進入小批量投片，但要達到一定的經濟規模，仍需更長的時間。

紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力，可望藉由執行長高啟全的業界人脈進行補強，而高啟全在紫光的 5 年任期將在明年屆滿，是否會對紫光 DRAM 發展產生影響，也須持續關注。

紫光集團並非首次計畫進軍 DRAM 產業，TrendForce 指出，紫光集團 2014 年就曾表達出研發 DRAM 決心，但為平衡產業與地方發展，且已確立 NAND 發展路線，後續 DRAM 開發計畫因而停擺。此次紫光集團回歸 DRAM 開發，主要是因福建晉華去年 11 月遭美國頒布禁售令後，量產與未來研發之路不確定性因素仍高，加上合肥長鑫雖然預計今年底導入量產，但最快也要 2020 年底才可望放量。

TrendForce 認為，對中國而言，僅有一家正在進行的 DRAM 廠，不足以實現自主開發的目標，尤其又面臨中美貿易摩擦的大環境因素，也因此讓紫光集團重新出線，進行 DRAM 開發與生產。