看好5G拉貨潮 三星Q4資本支出將集中擴產DRAM、NAND Flash

三星電子 (Samsung Electronics) 表示，今年該公司的投資總額為 29 兆韓元，接近去年的數字，資本支出的擴張投資包含半導體領域的 23.3 兆韓元，以及顯示器領域的 2.9 兆韓元。

三星補充，今年第四季大部分資本支出將用於記憶體晶片產業的基礎設施。三星在今年前三季的總投資額為 16.8 兆韓元，並計劃在第四季增加 12.2 兆韓元。

三星強化對記憶體的資本支出，主要是希望擴大加速記憶體領域之市占率，三星表示：「到今年年底，10 奈米級的 DRAM 產品將佔大約 80%，預估第二代 10 奈米級 (1y-nm) 的 DRAM 產品也將成為 2020 年上半年的主流，而第二代 10 奈米級 (1y-nm) 的產品也可以透過新的 EUV 極紫外光設備，穩定提高產量。」

三星在中國西安的第二家工廠也將於 2020 年初投入營運，而其位於韓國平澤 (Pyeongtaek) 的第二家工廠也將啟用，市場預期，三星的兩座工廠將分別擴產 NAND 快閃記憶體以及 DRAM 產品。

韓媒《Bussiness Korea》報導，由於蘋果 (AAPL-US) 即將發布的 5G 智慧型手機和 5G 服務，預計明年全球的半導體需求將大幅提升，並在美國及日本等地擴展。

另外，Intel(INTC-US) 也計劃在 2020 年下半年發布 Ice Lake 伺服器 CPU，預計亦將推動雲端服務商對 DRAM 和 SSD 的需求。

目前三星和台積電是唯二使用基於 EUV 設備的 7 奈米製程晶圓代工廠，對三星而言 ，增加資本支出對該公司在 2030 年拿下全球市場的領先地位，有其必要性。