外電綜合報導，鑑於 5G 網路的快速發展，三星擬計畫再注資 80 億美元於其中國西安二期晶片工廠，以提高 NAND 快閃記憶體的產能，市場預測明年半導體需求將回彈。
據了解，三星為了應對 5G 設備與網路不斷增長的需求，從 2017 年開始啟動為期三年的西安工廠擴建計畫，第一階段投資 70 億美元，估計第二階段將再投入 80 億美元。目前二期項目總投資 150 億美元。
預計於 2021 年下半年完成西安二期工廠擴建計畫，完工後每月產能將增加 13 萬片。
外界推測，三星決定加碼 80 億美元的決定，可能是用於 5G 設備的 NAND 晶片供不應求所致。
三星在 DRAM 技術突飛猛進，日前還向西安的一家 DRAM 工廠檢測和包裝工廠投資 108 億美元。
三星是全球最大的 NAND 快閃記憶體製造商，目前三星競爭對手包括韓國的 SK 海力士、美光和東芝，雖然這三大廠都在晶片產能上勢均力敵，但他們仍未達到三星 NAND 記憶體晶片產能的規模。
對此消息三星拒絕置評。
