新記憶體革命要來了？日本研發出高速低功耗記憶單元

一直以來，科學家持續針對記憶體技術進行研究，並致力於超越現階段 DRAM 性能，而受到固態鋰電池的啟發，日本科學家已開發出一種新的三值記憶體 (three-valued)，由於該新型記憶體具備高速且低功耗的特性，業界人士推敲，新一代低功耗記憶體可望因此應運而生。

由東京工業大學、東京大學的研究團隊合作研發的新一代記憶體，是由鋰、磷酸鋰和金推疊成三層固態層，本質上是一個微型低容量電池，但可以用作記憶體使用，可以在代表一個位元 (bit) 的兩個可能值的充電和放電之間快速切換。

然而，金與鋰結合會形成厚合金層，兩種狀態的切換因此需要消耗更多電力。因此，為了解決這個問題，研究人員使用鎳代替金，來創造出類似的三層結構記憶體。由於鎳不易與鋰形成合金，在狀態間轉換時的電力消耗也能因此降低。

最新研發的記憶體設備較先前的記憶體設備更好的特質在於，它可以在實際上保留三種不同的電壓狀態，而不是原先的兩種，也因此被稱為三值記憶體設備。

東京理工大學教授一杉太郎表示：「該系統可以被視為是一款具有三種充電狀態極低容量的薄膜鋰電池。」這些優勢，也有助於提高記憶體空間分配的效率。

此外，研究人員也發現，鎳和磷酸鋰之間會形成非常薄的氧化鎳層，這對於記憶體設備的低耗能切換至關重要。此種氧化層較先前設備中所形成的金鋰合金的氧化物層要薄得多，意味著新型的「微型電池」單位容量非常低，也因此能夠通過施加微小電流的方式，快速、輕鬆地在不同狀態之間進行切換。 「功耗極低的潛力是該設備最值得關注的優勢。」一杉太郎說道。