DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 今 (10) 日宣布，開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術，第一代 10 奈米級前導產品預計下半年進入試產，第二代 10 奈米製程技術則已進入研發階段，預計 2022 年前試產，確立下世代 10 奈米 DRAM 將採用自主研發技術，不再走授權。
南亞科近幾個世代製程技術，均來自美光授權，而針對新世代製程進度，南亞科去年時表示，投入 10 奈米製程技術有 2 個方向，一為採用美光授權技術、二為自主研發，並會在去年底決定要向美光取得技術授權、或自主開發。
而南亞科今日宣布，開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術，使其 DRAM 產品可持續微縮至少 3 個世代，第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，將建構在自主製程技術及產品技術平台，涵蓋消費型、低功率與標準型產品，預計今年下半年陸續進入產品試產。
至於第二代 10 奈米級製程技術，南亞科表示，目前已進入研發階段，預計 2022 年前導入試產，也會開發第三代 10 奈米級製程技術。
南亞科總經理李培瑛表示，新製程技術為南亞科帶來新的技術平台，並為未來更高密度的 LPDDR5、LPDDR6 提供向下發展機會，且由於是自主開發，可掌握技術開發步調，不用仰賴他廠授權，成本上也能有所改善，雖然每世代成本改善不是很大，但逐步累積還是有好處。
南亞科上世代 20 奈米製程技術來自美光授權，初期為雙方共同研發，再前一世代的 30 奈米、42 奈米也都是與美光共同研發，再更往前世代推進，則曾與英飛凌、IBM 共同研發，上一個完全自主開發的製程技術則是 99 奈米。
