力旺矽智財導入聯電28奈米高壓製程 搶攻OLED市場

力旺矽智財導入聯電28奈米高壓製程 將量產搶攻OLED市場。(圖:取材自聯電官網)
力旺矽智財導入聯電28奈米高壓製程 將量產搶攻OLED市場。(圖:取材自聯電官網)

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 今 (20) 日表示,矽智財廠力旺電子 (3529-TW) 一次可編程 (OTP) 記憶體矽智財 NeoFuse,已導入聯電 28 奈米高壓 (HV) 製程,強攻有機發光二極體 (OLED) 市場,關鍵客戶已完成設計定案,並準備量產。

聯電矽智財研發暨設計支援處處長林子惠表示,力旺 NeoFuse 矽智財與聯電 28 奈米高壓製程合作,使客戶得以客製化 IC,以符合 OLED 市場的高規需求。

聯電指出,高階手機配備 OLED 顯示器已成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片效能要求也更高,而 OLED 關鍵客戶也因此逐漸從 55 奈米或 40 奈米,往更先進的 28 奈米高壓製程靠攏。

聯電表示,28 奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力,發揮最大功能,提供 OLED 顯示器驅動晶片更快的資料存取速度、更高容量的靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 及更好的功耗,同時達到高畫質與省電目的。


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