晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 今 (20) 日宣布，將與意法半導體攜手合作，加速市場採用氮化鎵 (GaN) 產品，進一步推進在氮化鎵領域的佈局，劍指電動車市場商機；近來隨著 5G、電動車等新應用興起，對功率半導體需求增溫，氮化鎵儼然成台廠下一個競逐的代工龍頭戰場。
目前全球絕大多數半導體元件，都是以矽作為基礎功能材料的矽基半導體，不過，在高電壓功率元件應用上，矽基元件因導通電阻過大，往往造成電能大量損耗，且在高頻工作環境下，矽元件的切換頻率相對較低，性能不如寬能隙化合物半導體材料。
氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，相較於傳統矽基半導體，能提供顯著優勢來支援功率應用，包括在更高功率獲取更大節能效益，使寄生功耗大幅降低；除挾著高頻、高壓等優勢，氮化鎵材料散熱性也較佳、元件體積較小。
據台積電指出，相較矽基元件，氮化鎵元件切換速度增快達 10 倍，且可在更高的最高溫度下運作，材料本質特性強大，讓氮化鎵廣泛適用於具備 100 伏與 650 伏兩種電壓範疇持續成長的汽車、 工業、電信、及特定消費性電子應用產品。
現行的 GaN 功率元件，以 GaN-on-Si(矽基氮化鎵)、GaN-on-SiC(碳化矽基氮化鎵)2 種晶圓為主。台廠方面，台積電、漢磊投控 (3707-TW) 旗下晶圓代工廠漢磊科已提供 6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工服務。
三五族半導體晶圓代工廠穩懋 (3105-TW) 則是提供 6 吋 GaN-on-SiC 晶圓代工，環宇 - KY(4991-TW) 也擁有 4 吋 GaN-on-SiC 晶圓代工，6 吋 GaN-on-SiC 代工產能已通過認證。
晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 也在 GaN 材料上投資超過 4 年時間，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年可望有小量樣品送樣，初期主要瞄準電源領域應用。
