台積電攜手交大開發單晶氮化硼技術 登國際期刊

台積電攜手交大成功開發單晶氮化硼技術,登上國際期刊。(圖:台積電提供)
台積電攜手交大成功開發單晶氮化硼技術,登上國際期刊。(圖:台積電提供)

晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 與國立交通大學共組聯合研究團隊,成功開發出大面積晶圓尺寸的單晶淡化硼 (BN) 技術,未來將應用在先進製程技術中,這項研究成果也刊登在國際學術期刊《自然》(Nature) 中,這也是台積電首次登上《自然》期刊。

科技部表示,為提升半導體矽晶片效能,積體電路中的電晶體尺寸不斷微縮,全球科學家也面臨傳統半導體材料達到物理極限的瓶頸,無法突破,目前已知解決電晶體微縮瓶頸的方法之一,是利用厚度僅有 0.7 奈米的二維原子層半導體材料。

科技部進一步表示,二維半導體僅有原子層厚度,因此如何使電子在裡面傳輸而不受鄰近材料的干擾也成為全球重要技術研究方向,目前自然界最薄絕緣層氮化硼,因僅有一個原子厚度,被視為是最佳解決方案,也有證明指出氮化硼能有效阻隔二維半導體不受鄰近材料干擾,但過去礙於技術無法在晶圓上合成高品質單晶的單原子層氮化硼。

學者形容,合成高品質單晶的單原子層氮化硼困難度,相當於將人以小於 0.5 公尺的間距整齊排列在地球表面上,而這次台積電與交大透過產學界合作,成功開發相關技術,可望應用在下一階段的先進製程中,也成功提升台灣基礎研究能力。


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