歷經一年多的景氣循環，記憶體大廠庫存去化有成，加上供給端新增產能有限，受惠 5G 時代來臨，市場原預期今年供需將趨於平衡，甚至可望供不應求，但產業還未迎來好年，年初就先爆發肺炎疫情；即便如此，記憶體廠未因疫情影響，而中斷長期營運策略，今年新製程技術轉進仍照計畫進行中。
華邦電 (2344-TW) 2018 年第 4 季起，開始量產自主研發的 25 奈米 DRAM 製程技術，不過，其量產時間點剛好碰上 DRAM 市況反轉，對新製程轉進來說，較為辛苦，去年第 4 季時營收占比僅約 6%，且受到 DRAM 價格下滑衝擊，加上 25 奈米開發成本高兩大因素影響，第 4 季單季營運因此轉虧。
華邦電認為，今年新製程開發與良率表現，將漸入佳境，新製程轉進效益本季已顯現，第 3 季起會更好。且雖然今年以來爆發肺炎疫情，新製程轉進也在逐步步入軌道階段，但華邦電營運計畫並未受疫情影響而改變。
華邦電去年宣布將高雄 12 吋新廠裝機時程延至 2022 年，目前時間點不變，屆時 20 奈米新製程技術，將在高雄廠投片。除 DRAM 外，45 奈米 NOR Flash 製程技術明年也將正式量產。
南亞科 (2408-TW) 目前主力為授權自美光的 20 奈米製程技術，今年初並宣佈成功開發出 10 奈米級 DRAM 新型記憶胞技術，再度走回自主研發之路，第一代 10 奈米級前導產品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，涵蓋消費型、低功率與標準型產品，預計今年下半年陸續進入試產。
為建置 10 奈米級製程試產線，南亞科董事會今年 5 月初也通過，將再新增新台幣 65.6 億元資本支出預算，今年度資本支出預算也因此提升至不超過 157.6 億元，較去年擴增 1.86 倍。第二代 10 奈米級製程技術已進入研發階段，預計 2022 年前試產，也會開發第三代 10 奈米級製程技術。
旺宏 (2337-TW) 去年成功量產 19 奈米 SLC NAND Flash，今年下半年出貨可望放量，客戶涵蓋各類應用，包括工控、醫療、安控與車載等；今年下半年也將推出 3D NAND 產品，48 層 3D NAND 預計第 3 季送樣客戶，第 4 季量產，明年才可望放量，並預計 2021 年量產 96 層 3D NAND、2022 年量產 192 層 3D NAND。
