中國傾力發展第三代半導體 台廠挾優勢啖商機

隨著美國政府在半導體領域持續打壓，中國政府有意傾國之力發展第三代半導體產業，第三代半導體產業競爭走向白熱化，台廠挾第一、二代半導體領先優勢，可望搶得先機，除台積電 (2330-TW) 外，漢磊投控 (3707-TW)、嘉晶 (3016-TW) 等，都將陸續從今年第四季起放量，明年貢獻營收，另外茂矽 (2342-TW) 與環球晶 (6488-TW) 也積極卡位，可望率先搶食商機。

中國將在 10 月提出的「十四五 (第 14 個五年) 規劃」中，大舉投入人民幣 10 兆元資金，發展第三代半導體產業，在第一、二代半導體技術相對落後下，中國盼能如 5G 技術一般，藉由第三代半導體技術，在半導體領域彎道超車。

不過，氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等第三代半導體技術難度高，良率更是獲利關鍵，在美中關係緊張下，中國要取得先進半導體設備，難度相當高，且第三代半導體材料被各國視為戰略性資源，中國要取得材料，也有一定的挑戰。

即便先前中國以政策大力扶植半導體產業，訂出 2025 年半導體自製率達 70% 的目標，但在第一、二代半導體技術投資上，目前仍未有明顯斬獲，由台積電前共同營運長蔣尚義出任執行長的武漢弘芯，近期更爆出資金面臨斷鏈危機，中國要在半導體領域上超車，還有很長一段路要走。

反觀台廠，挾著矽製程固有的規模經濟優勢，積極搶進氮化鎵、碳化矽應用領域，並已陸續有斬獲，包括台積電、漢磊投控旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶、矽晶圓大廠環球晶，都已小量生產中，各廠進度持續穩健向前邁進，效益明年起顯現。

漢磊投控旗下漢磊科與嘉晶，今年第 4 季起 SiC、GaN 等化合物半導體應用將陸續放量，明年產能更將進一步拉升，第 4 季將受惠 IDM 客戶回流，加上 GaN (氮化鎵) 新品試產，營收可望回溫，今、明年受惠第三代半導體需求帶動，營收都將維持成長。

台積電已小量提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務，650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平台，預計今年開發完成。

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 也與設備材料廠 Kyma、及轉投資氮化鎵矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前送樣客戶做產品驗證，瞄準電源應用。

環球晶旗下佈局的化合物半導體晶圓，包括碳化矽 (SiC)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si，碳化矽目前在取得認證中；GaN on SiC 目前做到 4 吋；GaN on Si 的 6 吋產能已量產，正積極投入 8 吋研發。

另外，近來新加入市場的，還有尋求新事業發展的太陽能廠太極 (4934-TW)，將發展碳化矽長晶與基板，初期切入高壓功率元件應用市場，最快第 4 季可量產基板。