南茂 (8150-TW) 近期為因應客戶需求，積極擴充產能，新產能全被客戶包下，供應鏈也透露，雙方已簽訂兩年協議，價格也全面適用 10 月調漲後的新價格，此外，不僅驅動晶片市況熱絡，記憶體景氣也回溫，市場傳，南茂第四季已正式調漲 DRAM 封裝價格。
隨著宅經濟商機爆發，面板需求激增，連帶拉升驅動晶片等相關零組件出貨成長，驅動晶片封測兩大業者頎邦 (6147-TW)、南茂測試產能滿載，10 月起雙雙上調中高階測試價格近 10%，並同步啟動擴產。
南茂目前添購中高階測試新機台約 50-60 台，新產能已與客戶簽訂產能保障協議，合約長達 2 年，新產能全面適用調漲後報價，明年在新產能、新報價綜效顯現下，產品組合價量齊揚。
供應鏈指出，南茂近年起也承接 NAND 多晶片堆疊封裝業務，由於消耗大量焊線機產能，現有產能滿載，因此啟動擴產，隨著消費型電子新品上市，以及反映金價、基板成本上漲，南茂也傳調漲記憶體封裝價格。
展望明年，中小尺寸驅動晶片受惠手機需求復甦，功能型手機則轉向成智慧型手機，帶動 TDDI 滲透率增加，加上漲價效應，南茂業績可望持續成長，記憶體更是受惠 DRAM 市況落底反彈，以及 NOR Flash 應用擴張，法人看好，南茂明年營收將挑戰新高，上看 245 億元。
南茂先前也在法說中指出，明年在客戶需求支撐下，資本支出將恢復往年水準，約占營收比重約 20-25%。
