據《日經亞洲評論》報導，中國最大的存儲晶片製造商長江存儲 (Yangtze memory Technologies) 計畫今年將產量翻倍，並開始生產 3D NAND 快閃記憶體晶片等先進產品，以期追趕三星電子等全球領軍者。
長江存儲的目標如果能夠實現，將是近年來中國在打造成熟半導體供應鏈上，邁出重要一步。NAND 用於幾乎所有計算設備，包括智慧手機、個人電腦、伺服器及連網汽車等的記憶體和儲存上，但生產僅由少數幾家全球廠商控制。
消息人士稱，長江存儲預計今年將其記憶體晶片每月產能擴增 1 倍，至 10 萬片，約占全球總產量的 7%。
相較之下，全球最大的 NAND 快閃記憶體晶片製造商三星電子每月生產約 48 萬片，美光每月生產約 18 萬片。
除了提高現有晶片的產量，長江存儲還在加速技術開發，知情人士表示，這家北京支援的晶片製造商，最早將於 2021 年年中試產第一批 192 層 3D NAND 快閃記憶體晶片，成為首個試產這類產品的中國製造商。
消息人士補充，這一計畫可能會延遲到今年下半年，即便如此，這一時間表也會是中國本地晶片製造商向前邁出了一大步。
長江存儲計畫生產的 192 層晶片，預計比三星和美光開發的晶片更先進，但市場觀察人士持謹慎態度，認為長江存儲的晶片是否具備所需的性能和品質，還有待觀察。
