據《彭博》引述知情人士說法，三星電子 (Samsung Electronics Co.) 正考慮斥資 100 億美元，在美國建設最先進的邏輯晶片製造廠，以趕上行業領導者台積電 (2330-TW)，這一說法符合先前相關報導。
知情人士說，三星希望在德州奧斯汀的新廠，未來可以製造先進的 3 奈米晶片。
知情人士稱，目前計畫還是初步的，因此可能會有變化。但基本的目標，是今年開始建廠，從 2022 年開始安裝主要設備，最早在 2023 年開始運作。儘管投資金額可能會變動，但三星預計為此專案投資超過 100 億美元。
當被問及有關在美國設立工廠的計畫時，三星在一封電子郵件中表示，尚未做出任何決定。
早前奧斯汀當地媒體透露，三星去年 10 月下旬向德州 Travis 郡申請，購買現址主要廠區旁的 258 英畝土地。三星於 1996 年在奧斯汀成立辦事處，之後對奧斯汀半導體 (Samsung Austin Semiconductor LLC) 廠區進行了兩次擴建，這裡主要為客戶代工 14 奈米、28 奈米及 32 奈米的晶片。
三星在美國並未利用 EUV 光刻設備，來生產 7 奈米以下晶片，但一直傳有相關的計畫研議。
三星已經在記憶體晶片市場居領導地位，目前試圖在利潤更高的邏輯設備市場擴大市占。這使他們視台積電為首要競爭對手。
三星此次擴廠申請，很可能針對台積電在美國的業務拓展。去年 5 月，台積電宣布投資 120 億美元，在亞歷桑那州興建新的 5 奈米工廠。
(本文不開放合作夥伴轉載)
