三星電子周四 (25 日) 宣布新一代記憶體晶片計畫，存取速度將在現有技術的基礎上提高一倍，並提供迄今為止最大的容量，從而加速數據中心和超級電腦的轉型。
做為全球最大記憶體晶片製造商，三星表示，512GB DDR5 記憶體模組將擴展其現有產品組合，採用 HKMG(High-K Metal Gate) 製程，DDR5 的記憶體速度將是目前 DDR4 的兩倍，同時減少功率洩漏，並減少 13% 的功耗。
三星稱，DDR5 速度高達 7200Mb/s，共有 40 個 DRAM 晶片，每個 DRAM 晶片擁有 8 層 16Gb DRAM，這些模組堆疊在一起，採用 TSV(Through-Silicon-Via, 矽穿孔) 技術。
TSV 於 2015 年首次在 DRAM 中使用，當時三星推出了容量高達 256GB 的伺服器模組。三星預計，將在今年下半年開始向 DDR5 的過渡。
晶片行業一直期待英特爾 (INTC-US) 即將推出，代號為 Sapphire Rapids 的 Xeon 可擴展處理器採用新的記憶體標準，並對其提供支援。三星表示，除了與兩家主要的 CPU 供應商英特爾及和 AMD(AMD-US) 合作，也向數據中心平台的開發者，發送了新記憶體的樣品。
分析師估計，DDR5 晶片將比 DDR4 晶片大 20% 左右，這將加大半導體供應鏈的壓力。三星打算今年開始出貨，並逐步改進其製造工藝及定價。三星認為，預計 2023 年下半年，DDR5 將開始取代 DDR4。
TrendForce Research 副總裁 Avril Wu 表示，隨著 DDR5 的滲透率逐漸提高，預計 DRAM 的短缺，將在 2022 年持續存在，價格可能較最初上漲 30-40%。
