記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (12) 日召開股東會，總經理陳沛銘指出，目前利基型 DRAM 需求還是很強，即使明年有新產能開出，也不是 DDR3，看明年需求很樂觀；董事長焦佑鈞則說，高雄新廠投產後，未來每年產出將增加 15-20%。
陳沛銘表示，很多客戶都很期待高雄新廠，目前 DRAM 主要供應 DDR3 1Gb 以下，新廠投產後，可望朝更高容量的 2Gb、4Gb 供應，2Gb 市場供給還是很緊，甚至有些價格與 4Gb 相同。
陳沛銘強調，整體需求還是很強，雖然外界投資報告有不同聲音傳出，但即使明年 DRAM 市場有新產能開出，也是在 DDR4 或 DDR5，需求面的轉換不會突然發生，對 DDR3 的需求應該都還在，「目前看明年很樂觀」。
焦佑鈞表示，在沒有高雄新廠前，每年靠生產力提升，可增加 5-10% 的產出，有了高雄廠，未來每年產出將以 15-20% 的幅度成長，會是較好的狀態，能滿足客戶需求，資本支出也會以這樣的速度逐步向前推進。
對於資本支出金額，焦佑鈞認為，新廠投資初期感受非常大，今、明年會進入資本支出高峰期，這是新廠初期建設必然的，預期 2023 年就會回到穩定向前狀態。
華邦電高雄新廠土地面積是台中廠 2 倍大，台中廠現有產能為 5.7 萬片，高雄預計建置 2 座廠，第一階段產能為 3.15 萬片，初期會先裝機 1 萬片，預計明年第四季投產，導入 25 奈米微縮 (25S) 製程，相當於同業的 20 奈米。
