全球搶攻第三代化合物半導體商機，作為第二代化合物半導體代表的三五族，包含穩懋 (3105-TW)、全新 (2455-TW)、宏捷科 (8086-TW)、IET-KY 英特磊 (4971-TW)、環宇 - KY(4991-TW) 同樣並未缺席，希望藉由在第二代化合物半導體的經驗，持續深化技術，力穩優勢。
觀察第一代半導體以矽 (Si) 為主，應用在運算、儲存、感測上，第二代則以三五族砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要在資料傳輸上扮演神經運輸的角色，第三代半導體則以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主，適合應用在高速傳輸、人造衛星、軍工國防等。
三五族在第三代半導體應用上持續鎖定 RF(射頻應用)，砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋十年前即開始布局第三代化合物半導體，目前產品以 GaN on SiC 為主，雖然整體營運貢獻仍低，但隨著 5G、衛星通訊應用需求增溫，預期營運貢獻將逐步提升。
宏捷科近年也積極開發氮化鎵產品，去年更引入中美晶 (5483-TW) 參與現增，持股約 22.53%，並加入中美晶集團，將與環球晶 (6488-TW) 等集團企業合作，透過上下游材料供應互補，加速第三代化合物開發進程，雙方也預期最快明年效益就將逐步顯現。
全新則是穩懋、宏捷科上游磊晶廠商，隨著下游廠商擴大第三代半導體布局，可望同步受惠，且全新開發的 GaN on Si / GaN on SiC 磊晶近期也傳出打入國防、基地台等應用中。
環宇 - KY 也已擁有 4 吋 GaN on SiC 高功率 PA 產能，同時具備 6 吋 GaN on SiC 晶圓代工產能，但目前產能規模仍受限轉投資事業在初期擴張階段，因此效益尚未完全浮現。
英特磊則鎖定 MBE 技術發展，對於第三代化合物半導體商機同樣不缺席，日前也取得美國能源部合約，將進一步發展 GaN on Si 產品，鎖定電力應用元件，並預期第四季與法商 Riber 開發的 MBE 新機台正式試產後，開發進度將進一步加速。
展望未來，第三代化合物半導體已是各國重要國家戰略物資之一，台灣也已在第一代、第二代半導體產業中立足，將可望助攻產業供應鏈進一步搶得先機，以迎接 5G、衛星通訊等高頻高速傳輸時代的龐大商機。
