砷化鎵磊晶廠全新 (2455-TW) 搶攻第三代化合物半導體商機，延續第二代化合物半導體優勢，將營運重點擺在 RF 射頻應用，終端應用涵蓋國防、基地台等，去年開始小量出貨台系國防客戶，今年每月拉貨穩定，基地台方面也出貨客戶進行驗證中。
全新表示，目前第三代半導體對營運貢獻仍低，但將專注在較熟悉的 RF 射頻應用市場，目前則未考慮進軍氮化鎵 (GaN)Power(高壓功率元件) 市場，客戶方面，除國防客戶已穩定出貨外，也小量供貨給既有台系、美系客戶、聯電 (2303-TW) 集團等進行測試驗證。
據了解，全新目前是以 4 吋、6 吋廠開發 GaN on Si(矽基氮化鎵)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)，雖然近期全新基板已獲得美系客戶良好的回饋，但仍有技術待克服，因此，預期正式發酵還需時間。
回顧第一代半導體以矽 (Si) 為主，應用在運算、儲存、感測上，第二代則以三五族砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，在資料傳輸上扮演神經運輸角色，第三代半導體則是以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主，適合應用在高速傳輸、人造衛星、軍工國防等。
觀察台廠布局方向，包含台積電 (2330-TW)、世界先進 (5347-TW)、漢磊(3707-TW) 等皆主攻氮化鎵 Power(高壓功率元件) 市場，未來應用層面包含快充、電動車等，而台廠三五族則延續第二代化合物半導體市場，主攻 RF 射頻應用為主，終端應用則聚焦在國防、基地台等。
