漢民集團旗下漢磊 (3707-TW) 與轉投資磊晶廠嘉晶 (3016-TW) 今 (15) 日共同召開線上法說，並宣布將啟動擴產，未來 2-3 年共將投入約 1.2 億至 1.5 億美元 (約合新台幣 33 至 41 億元)，大舉擴增 SiC、GaN 產能，屆時兩家公司 SiC 產能均可望較目前成長 7 倍。
漢磊、嘉晶董事長徐建華表示，看好未來 5G、電動車、綠能等應用，帶動化合物半導體需求持續成長，決定啟動擴產。
嘉晶目前 SiC 月產能 600 片，GaN 約 2000 片，明年資本支出預估 1800-2200 萬美元；其中 SiC 產能將增加 5-10%，嘉晶並預計未來 2-3 年投入 4000-5000 萬美元擴產，屆時 SiC 產能將增加 7-8 倍，GaN 則會成長 2-2.5 倍。
漢磊目前 SiC、GaN 月產能約當 6 吋各約 1000 片，明年資本支出規劃 3500-4500 萬美元，SiC 將提升 3 倍至 3000 片，GaN 則將擴增至 2000 片。
漢磊也計畫未來 2-3 年投入 8000 萬至 1 億美元資本支出，主要用於擴產 SiC，屆時產能將達目前的 5-7 倍。
