晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 董事長方略今 (19) 日表示，將積極參與化合物半導體市場，目前 GaN (氮化鎵) 技術可靠性與良率已近量產階段。
方略指出，GaN 的新材料產品認證時間較長，短期技術開發雖有進展，但市場規模仍小、是利基市場，營收貢獻仍不大。
方略表示，Gan 前段將在晶圓三廠進行，後段磨切等製程則移至晶圓二廠，將與客戶合作，以客戶需求推進生產。
方略強調，目前化合物半導體在全球半導體市占率不到 1%，基期仍很低，後續成長性高。
世界先進與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，開發可做到 8 吋的新基底 GaN-on-QST。世界先進預計第四季到明年 1 月，將有不同客戶新品設計定案 (tape-out)，進度符合預期，最快明年下半年可望放量。
