美光步步進逼 三星擬轉攻1c DRAM拚6月開發完成

據韓媒 BusinessKorea 報導，三星電子計劃在今年 6 月前完成 11 奈米製程第六代 1c DRAM 的開發，在美光 (MU-US)、SK 海力士加速追趕之際，力拚保持產業龍頭地位。

三星近期通知公司內部半導體研究人員，公司決定跳過並放棄 12 奈米製程 1b DRAM 的開發。先前傳出三星 1b 遇到研發障礙，可能修改產品軌道與戰略。

三星決定放棄 1b DRAM 後，立即加速 1c DRAM 的開發，若 1c 今年能亮相，可望拉開與美光、SK 海力士等競爭對手的技術差距。

三星現階段正面臨必須搶先開發出 1c DRAM 的壓力，因為 1a  (1-alpha) DRAM 開放進度已落後美光，美光目前 1a  (1-alpha) DRAM 已進入量產階段。

三星過去也曾放棄 28 奈米 DRAM 開發與量產，瞄準 25 奈米 DRAM，不過，隨著製程工藝進入 10 奈米階段，三星要在先進製程中複製過去模式恐有難度。