三星電子宣布量產236層堆疊第八代V-NAND 容量達1Tb

《韓聯社》報導，三星電子周一 (7 日) 宣布已展開第 8 代 NAND Flash 快閃記憶體、垂直 3D 架構的「V-NAND」量產。和現有的第 7 代產品 (176 層堆疊) 相比，其堆疊層數增加到 236 層，資料儲存容量達 1Tb，以量產產品而言是業界最高容量。

截至目前為止，堆疊層數最高的 3D NAND Flash 快閃記憶體的量產產品，是美光科技 (MU-US) 的 232 層。SK 海力士雖然在今 (2022) 年發表該公司開發的 238 層產品，不過還尚未進入量產。

NAND Flash 快閃記憶體，是智慧型手機、電腦和伺服器等電子產品所使用的資料儲存晶片。為了實現大容量，資料儲存空間也如同高層大樓般的向上堆疊，如何增加堆疊層數是各家廠商競相追逐的目標。只要讓晶片尺寸變小，在有限的空間內，就能儲存更多的資料。

三星電子記憶體事業部副社長許成會表示，在增加堆疊層數的同時，也抑制了記憶體儲存單元 (cell) 的面積和高度，且在減少體積時所發生的干涉現象亦獲得有效控制。

和第 7 代 NAND Flash 快閃記憶體相比，第 8 代產品的資料讀寫速度也快了 1.2 倍。三星電子已連續 20 年在 NAND 業界領先群雄，該公司目前正計劃在 2030 年之前要研發出 1000 層堆疊的 V-NAND，盼能繼續領導市場。