美光宣布在日本引進EUV 未來數年投資額上看37億美元

美光執行長Sanjay Mehrotra (圖:美光提供)
美光執行長Sanjay Mehrotra (圖:美光提供)

美光周四 (18 日) 宣布,未來數年將在日本為極紫外光 (EUV) 微影技術投資多達 5000 億日元 (37 億美元),將用於 1 gamma 製程,日本政府也將提供支援。

美光引進的最新 EUV 設備可製造最先進 DRAM 製程 1 gamma,可用來量產影像處理網路等複雜應用所需的材料。

美光將成為第一家把 EUV 技術帶入日本的半導體業者,預估 2025 年起投入台灣和日本 1 gamma 的節點。

彭博稍早引述知情人士說法報導,美光已獲得日本政府 15 億美元財務支援在廣島擴廠,並生產新一代晶片,潛在受益供應商包括荷蘭 EUV 大廠艾司摩爾 (ASML),和日本半導體設備商東京威力科創 (Tokyo Electron)。

美光的廣島廠去年開始量產大容量、低功耗的 1-beta DRAM 晶片。

日本在全球的半導體市占率 1980 年代曾經達到約 50%,但近年已經陡降到約 10%,目前正在積極振興半導體產業,同時,美國正積極拉攏盟國,一同抗衡中國在晶片和先進技術方面的發展。


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