SK 海力士 25 日宣佈， 公司開始推進「LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM」的商用化，其目前移動 DRAM 中可實現 9.6Gbps（每秒 9.6 千兆）最高速度。SK 海力士表示，最近獲得了將 LPDDR5T DRAM 適用於高通最新第三代驍龍 8 移動平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的業內首次認證。
自今年 1 月開發出 LPDDR5T DRAM 以來，SK 海力士與高通進行了相容性驗證合作。兩家公司在結合 LPDDR5T DRAM 和高通的最新第三代驍龍 8 移動平台的智慧手機上進行驗證得出，兩款產品都發揮出了優秀的性能。
LPDDR（低功耗雙倍數據速率）是用於智慧手機和平板電腦等移動端產品的 DRAM 規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特徵。
規格名稱附有「LP（Low Power，低功耗）」，最新規格為第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的順序開發而成。LPDDR5T 是 SK 海力士業內首次開發的產品，是第八代 LPDDR6 正式問世之前，將第七代 LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。
SK 海力士強調：「公司的 LPDDR5T DRAM 成功完成與全球權威通信晶片公司高通等主要移動 AP（Application Processor）供應商的性能驗證，今後移動設備中 LPDDR5T DRAM 的佈局將迅速擴大。」
公司計畫向客戶提供以 LPDDR5T DRAM 單品晶片結合而成的 16GB（千兆）容量套裝產品。該產品的資料處理速度為每秒 77GB，其相當於 1 秒內可處理 15 部全高清（Full-HD，FHD）級電影。
另外，LPDDR5T DRAM 可在國際半導體標準化組織（JEDEC）規定的最低電壓標準範圍 1.01~1.12V（伏特）下運行，在功耗方面也具備了優勢。
SK 海力士技術團隊在開發該產品的過程中，採用了 HKMG（High-K Metal Gate）工藝，在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的 LPDDR6 DRAM 問世前，LPDDR5T DRAM 在移動 DRAM 市場上佔據很大比重。
高通技術公司產品管理高級副總裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar 表示：「第三代驍龍 8 產品可以低功耗下無延遲驅動生成型 AI 為基礎的大語言模型（LLM）和大視覺模型（LVM）。驍龍移動平台和 SK 海力士的最高速移動 DRAM 相結合，智慧手機用戶將能夠體驗驚人的 AI 功能。」
SK 海力士 DRAM 商品企劃擔當副社長柳成洙表示：「LPDDR5T DRAM 成功滿足了全球客戶對超高性能移動 DRAM 需求，對此感到很高興。」
柳副社長還補充道：「預計今後智慧手機將成長為驅動 AI 技術的核心應用。為此，需要通過移動 DRAM 持續提高智慧手機的性能，公司將繼續加強與高通的合作，努力提高該領域的技術能力。」
HKMG 是在 DRAM 電晶體內的絕緣膜上採用高 K 柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高記憶體速度，還可降低功耗。SK 海力士於去年 11 月在移動 DRAM 上全球首次採用了 HKMG 工藝。
