全球對運算需求呈指數型成長，英特爾 (INTC-US) 大秀多項最新技術迎戰。英特爾資深副總裁暨元件研究部總經理 Sanjay Natarajan 表示，現在正進入製程技術的埃米時代 (Angstrom era)，加上英特爾未來四年五節點的計畫，持續創新更顯重要，希望能為下一代行動運算實現進一步的擴展及高效能電力傳輸。
英特爾展示業界首創的 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)，結合晶片背部供電接觸技術。另外，英特爾領先市場，成功在同一片 300mm(12 吋) 晶圓上，整合矽電晶體和 GaN 電晶體，且性能良好。
英特爾觀察，全球對運算的需求呈指數型成長，而電晶體微縮及晶片背部供電有助於滿足大量的運算需求。英特爾抓準趨勢，元件研究團隊突破工程限制，透過推疊電晶體，提升晶片背部的供電，實現電晶體微縮、改善性能，同時證明不同材料製成的電晶體，可以整合在同一晶圓上。
英特爾指出，包括 PowerVia 晶片背部供電技術、用於先進封裝的玻璃基板和 Foveros Direct 封裝技術，這些技術皆來自英特爾元件研究團隊，預計將在 2030 年前投入生產。
