摩根士丹利：明年記憶體晶片市場度過寒冬 迎來周期性需求改善

摩根士丹利本周三 (13 日) 的報告中再次上調記憶體晶片漲價預期，其指出從修正後的每股獲利來看，美股記憶體股現在較上一個周期要便宜得多，記憶體晶片行業將進入周期性成長加速、需求明顯提高的時期。

大摩在報告中指出，下游補庫存，供給遠低於需求，明年第一季記憶體晶片價格有望大幅上漲：「我們預估 DRAM 和 NAND 價格將在明年第一季上漲 20%，最新的預期較此前增幅翻倍，此前的預期是 DRAM 價格漲幅為 8% 至 13%，NAND 價格漲幅為 5% 至 10%。」

下游客戶已開始補庫存，中國智慧手機 OEM 廠明年第一季訂單量將大幅增加，電腦 ODM/ OEM 也在建立庫存。而智慧手機製造商重新補庫存將帶來價格的上漲，庫存將恢復到正常水準 (移動 DRAM 需要 4 至 6 周，NAND 需要 6 至 7 周)。

從供需方面來看，記憶體晶片商在大幅減產之後，產量遠遠低於需求，隨著需求的改善，明年的價格上漲前景將更加明確。

進一步來看，大摩指出，人工智慧 (AI) 需求將進一步提振記憶體晶片價格：「我們還需要考慮到明年 HBM 晶片 100 億美元市場規模成長的影響，以及 AI 需求的突然出現將導致供應短缺延長。」

此外，雖然 AI 應用程式大部分都部署在雲端，但從 2024 年開始，邊緣運算需求將變得越來越普遍 (行動 AI)，並可能逐漸進入智慧手機升級周期。

整體來看，大摩認為，隨著每股獲利年增加速，記憶體股往往表現優異，現在剛剛進入周期中期 / 樂觀階段，DRAM 現貨價格年增為 - 16%，距離峰值水準仍有距離。而拋開估值不談，記憶體晶片周期已經從今年第一季的低點恢復，進入明年將進一步改善。

根據最新的產業數據，大摩上調三星和 SK 海力士的每股獲利預期，並預估海力士將在第四季實現獲利，並在 HBM 市占成長和大宗商品價格大幅改善的推動下，進入獲利周期，到明年底 / 2025 年初將達到創紀錄的水準。三星則將通過記憶體漲價快速提高利潤率，同時或將從融入 AI 技術的 S24 edge 產品中受惠，該產品將在明年第一季推出。