據韓媒近日報導，晶片巨頭 SK 海力士準備打破美國對華極紫外光（EUV）曝光機出口相關限制，進行旗下中國半導體工廠技術提升。
外界解讀，隨著半導體市場復甦以及中國高性能半導體製造能力提升，一些南韓晶片企業準備採取一切可以使用的方法，提高在華工廠製造工藝水準。
據南韓《首爾經濟》報導，南韓業界人士表示，SK 海力士計劃今年將中國無錫廠部分 DRAM 生產設備提升至第四代 10 奈米工藝。
無錫廠是 SK 海力士的核心生產基地，產量約佔其 DRAM 總產量 40%。目前無錫廠正在生產兩款較舊的 10 奈米 DRAM。
《首爾經濟》指出，SK 海力士要進行無錫廠技術升級並不容易，因為美國為阻止中國半導體產業崛起，2019 年就開始單方面限制中國取得製造尖端半導體的 EUV 曝光機。
隨著全球半導體市場復甦，SK 海力士認為，高性能晶片產能擴張刻不容緩，需要 10 奈米級第四代 DRAM 或更高版本產品，以維持市占率。
SK 海力士總裁郭魯正出席 CES 時表示：「我們自去年以來就地緣政治問題組建了內部工作組，相信企業風險由此得到很大程度的緩解。」
