工研院攜台積電開發SOT-MRAM 揮軍AI/HPC市場

工研院今 (17) 日宣布，攜手台積電 (2330-TW)(TSM-US) 開發自旋軌道轉矩磁性記憶體 (Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM) 陣列晶片，搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為 STT-MRAM 的百分之一，可應用在高效能運算 (HPC)、AI 及車用晶片等。

經濟部長期以來科專計畫補助工研院，建立深厚的前瞻記憶體研發能量，此次工研院與台積電成果領先國際，並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」(IEDM) 共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量，維持臺灣半導體在全球產業不可或缺的地位。

經濟部產業技術司表示，隨著 AI、5G 與 AIoT 時代來臨，需要快速處理大量資料，因此更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為重要的關鍵。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電去年已在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」(Symposium on VLSI Technology and Circuits) 共同發表論文。

雙方今年更開發出兼具低功耗、10 奈秒 (ns) 高速工作等優點的 SOT-MRAM 單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫 MRAM 已往以記憶體為主的應用情境，可滿足未來 AI 與 HPC 世代需求。