英特爾攜聯電布局FinFET晶圓代工 研調：此為雙贏局面

英特爾 (INTC-US) 與聯電 (2303-TW)(UMC-US) 正式宣布合作開發 12 奈米製程，研調機構 TrendForce 認為，此合作案藉由聯電提供技術服務，英特爾提供現成工廠設施，採雙方共同營運，為雙贏局面。

研調看好，此舉將幫助英特爾銜接 IDM 轉換至晶圓代工的生意模式，增加製程調度彈性並獲取晶圓代工營運經驗，聯電也不需負擔龐大的資本支出，即可靈活運用 FinFET 產能，從成熟製程的競局中另謀生路，同時藉由共同營運英特爾美國廠，間接拓展工廠國際分布，分散地緣政治風險。

研調表示，雙方為減少廠務設施的額外投資成本，直接採用現有設備，針對 12nm FinFET 製程的合作案，也選擇以英特爾現有相近製程技術的 Chandler/Arizona Fab22/32 為初期合作廠區，轉換後產能維持原有規模，雙方共同持有。

研調預估，雙方此次平均投資金額相較購置全新機台，可節省逾 8 成費用，僅包含設備機台移裝機的廠務二次配管費，以及其相關小型附屬設備等支出。

研調分析，雙方合作案前，英特爾長期以製造 CPU 及 GPU 等核心晶片為主，同時擁先進製程技術，2021 至 2022 年先後宣布 IDM2.0 及併購高塔半導體 (Tower) 計畫，欲積極進入晶圓代工產業，但執行受阻。

聯電則長期投入主力製程 28/22 奈米，並有高壓製程等特殊技術優勢，但在中國廠大量投入成熟製程趨勢下，迫使聯電重新思考跨入 FinFET 世代的必要性，擴產計畫又須考量 FinFET 架構的高額投資成本，導致決定舉棋不定。

合作案宣布後，聯電可提供 12 奈米部分 IP 與協作開發，也會協助英特爾洽談晶圓代工生意，聯電不僅可利用現成 FinFET 產能，也不需攤提龐大的投資成本，又可在中國廠成熟製程的激烈競局當中脫穎而出。

英特爾則以提供現有工廠設施，除可獲得晶圓代工市場經驗，擴大製程彈性及多元性，也可集中資源於 3 奈米、2 奈米等更先進製程開發。

研調預期，若雙方後續合作順利，Intel 可能考慮未來再將 1 至 2 座 1X 奈米等級的 FinFET 廠區與聯電共同管理；推測相近製程的 Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C 為可能的候選廠區。

不過，聯電做為主要技術 IP 提供者的 UMC，其 14 奈米自 2017 年至今尚未正式大規模量產，12 奈米也仍在研發階段，預計 2026 年下半年將進入量產；因此雙方的合作量產時程暫訂在 2027 年，FinFET 架構技術穩定性仍待觀察。

整體而言，研調認為，在成熟製程深耕多年的聯電，與擁有先進技術的英特爾共同合作下，雙方除了在 10 奈米等級製程獲得彼此需要的資源，未來在各自專精領域上是否會有更深入的合作值得關注。