根據彭博周五 (22 日) 報導，電信巨擘華為與其合作夥伴中國國有晶片製造設備開發商新凱來 (SiCarrier) 申請先進半導體製造方法專利，儘管低技術 (Low technology) 卻是有潛力的製造方式，在美國努力阻止中國技術發展的情況下，增添改善晶片生產技術前景的希望。
根據兩家公司向中國國家知識產權局 (CNIPA) 提交的專利文件，它們正在開發涉及自對準四重成像技術 (Self-Aligned Quad Patterning, SAQP)，應該會減少對高階光刻技術的依賴，可能在沒有艾司摩爾 (ASML-US) 最先進極紫外光刻機 (EUV) 的情況下生產先進晶片。
據了解，SAQP 是一種在矽晶圓上多次蝕刻線以增加電晶體密度從而提高性能的技術。華為周五公布的專利申請描述為一種使用該技術製造更複雜半導體的方法，並在提交給 CNIPA 的文件中說：「採用這項專利將增加電路圖案的設計自由度」。
華為的合作夥伴新凱來在去年底獲得一項涉及 SAQP 的專利。根據其申請文件，其專利採用深紫外光刻技術 (DUV)、晶片製造機器和 SAQP 技術，以達到 5 奈米晶片的某些技術門檻。該公司表示，這種做法可以避免使用 EUV 機器，同時降低製造成本。
研究公司 TechInsights 副董事長 Dan Hutcheson 表示，SAQP 足以讓中國製造 5 奈米晶片，但從長遠來看，中國仍需要接觸到 EUV 晶片。他指出，可以減輕這些問題，但不能完全克服沒有 EUV 的技術問題。
值得注意的是，像台積電 (2330-TW) 這樣的領先晶片製造商使用 EUV 機器來生產先進的晶片，因為產量高，每個晶片的成本最低。如果華為及其合作夥伴採用替代方法生產半導體，則其每片晶片的成本可能會高於業界標準。
另外，目前商業化生產的最先進晶片都使用 3 奈米技術，包括台積電替蘋果 (AAPL-US) 等公司生產的晶片。中國目前有能力製造 7 奈米晶片，落後兩代，但推進到 5 奈米只會落後全球領先者一代。
花旗集團 (Citigroup) 分析師 Jamie Wang 和 Kevin Chen 撰寫的備忘錄顯示，包括華創科技 (002371-CN) 和中微公司 (688012-CN) 在內的一批中國晶片設備製造商也考慮用蝕刻系統來補充多種圖案技術，以生產 7 奈米或更先進的晶片，因為 EUV 還遙不可及。
該行報告還指出：「中國半導體企業主要依靠 SAQP 生產先進晶片，這可能會增加中國蝕刻機的密度。」
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