據韓媒《韓國經濟日報》報導，全球最大的記憶體晶片製造商三星計畫於 2025 年推出 3D DRAM，以改變目前在全球人工智慧半導體市場記憶體領域，由競爭對手 SK 海力士領先的局面。
報導稱，3D 為主導的 DRAM 晶片透過垂直互連單元而不是像目前那樣水平放置它們，能將單位面積的容量增加了三倍。 相較之下，高頻寬記憶體（HBM）垂直互連多個 DRAM 晶片。
根據首爾半導體產業消息人士周二透露，三星在上個月於加州聖荷西舉行的全球晶片製造商聚會 Memcon 2024 上，公布了其 3D DRAM 開發路線圖。
這家總部位於韓國水原的科技巨頭，計畫於 2025 年推出基於垂直通道晶體管技術的早期版本 3D DRAM，這項技術在構成單元的晶體管中該垂直設置通道（電子流動的通道），並用充當開關的門 。三星還計畫在 2030 年推出堆疊式 DRAM，它將包括電容器在內的所有單元堆疊起來。
目前 DRAM 在主機板上包含多達 620 億個單元，晶體管在平面上密集集成，這使得不可能避免漏電流和乾擾。 由於 3D DRAM 中的電晶體由於可以在同一上放置更多單元，因此 3D DRAM 預計將增加單位晶片內的容量。
由於可以在同一面積上放置更多單元，因此 3D DRAM 預計將增加單位晶片面積內的容量。 3D DRAM 的基本容量為 100 GB，幾乎是目前可用 DRAM 最大容量 36 GB 的三倍。
有報導稱，業內消息人士稱，到 2030 年，全球 3D DRAM 市場可能會增長到 1000 億美元，但由於市場仍處於起步階段，行業追蹤機構尚未做出預測。
儘管三星的競爭對手如 SK 海力士和美光也一直在研究這項技術，但尚未公布任何 3D DRAM 的路線圖。 SK 海力士在各行業會議上介紹了其 3D DRAM 的概念。 美光於 2019 年開始開發 3D DRAM，擁有約 30 項此技術專利，是三大晶片製造商中最多的。
