〈0403強震〉TrendForce:台積電尚未量產的2奈米製程機台受潮可能需新購

IC示意圖。(圖:REUTERS/TPG)
IC示意圖。(圖:REUTERS/TPG)

研調機構 TrendForce 今 (4) 日表示,本次強震大多晶圓代工廠都位處震度 4 級區域,加上工廠多以高規格興建,內部減震措施是世界頂尖水準,多半可以減震 1 至 2 級,多數晶圓代工廠與 DRAM 廠都已陸續復工,無重大影響,僅台積電 (2330-TW) (TSM-US) 研發總部因水管破裂造成部分機台進水,影響尚未量產的 2 奈米製程,短期營運不受影響。

研調指出,本次台灣發生 403 強震,晶圓廠停機檢查後幾乎迅速復工,儘管有因緊急停機或地震損壞爐管,導致線上晶圓破片或是毀損報廢等,但由於目前成熟製程廠區產能利用率平均在 5-8 成,因此損失大多可以在復工後迅速將產能補齊,影響輕微。

細分記憶體與晶圓代工,DRAM 中以位於新北的南亞科 (2408-TW)Fab3A 及美光 (MU-US) 林口廠受地震影響較大,南亞科該廠區主要生產 20/30 奈米製程產品,最新製程 1B 奈米正開發中。

美光林口廠與台中廠為 DRAM 重要生產基地,內部系統已將二個廠區合而為一,目前已有最新 1beta 奈米製程投片,後續也將有 HBM,預期在台灣生產仍需數日時間完全恢復運作。其餘廠區多半在停機檢查後陸續復工。力積電 (6770-TW)、華邦電 (2344-TW) 等均無恙。

晶圓代工方面,台積電包含 Fab2/3/5/8 等多座六吋及八吋廠、研發總部 Fab12,以及最新的 Fab20 寶山工廠均位在震度 4 級的新竹,其中,僅 Fab12 因水管破裂造成部分機台進水,主要影響在尚未量產的 2 奈米製程,因此評估短期營運不受影響,但可能因機台受潮需要新購機台,造成資本支出小幅度增加。

台積電其餘廠區在停機檢查後已陸續復工,暫無重大災損,而其餘廠區個別有人員疏散或執行停機檢查,現均已陸續恢復運作。

至於台積電產能利用率較高的 5/4/3 奈米先進製程廠區,未進行人員疏散,停機檢查已在震後 6-8 小時恢復 90% 以上運作,影響仍在可控範圍。

CoWoS 廠區方面,目前主要運作廠區龍潭 AP3 及竹南 AP6,事發當下立即進行人員疏散,停機檢查後發現廠務冰水主機有水損問題,但廠務系統多有備援設施,評估不影響運作,已陸續復工。

此外,聯電一座六吋廠及六座八吋廠均位在新竹,另有一座十二吋廠位在台南,以 90 至 22 奈米量產為主;力積電包含十二吋 DRAM 與八吋、十二吋晶圓廠皆位在新竹苗栗一帶,其中 DRAM 以 25/21 奈米製程利基型產品為主。

世界先進共三座八吋廠位於新竹,一座八吋廠位於桃園。上述廠區多半在人員疏散、短暫停機檢查後陸續恢復運作。


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