SK 海力士周四 (25 日) 發布第一季財報，營收創歷史同期新高，且營業利潤創下 2018 年以來同期第二高，SK 海力士將其視為擺脫了長時間的低迷期，開始轉向了全面復甦期。
SK 海力士 F2024 Q1 (3 月 31 日止) 財報關鍵數據
SK 海力士表示：「憑藉 HBM 等面向 AI 的記憶體技術領導力，公司提升了面向 AI 伺服器的產品銷量，同時持續實施以盈利為主的經營活動，從而實現了營業利潤季增 734% 的業績。 」公司也強調：「就 NAND 快閃記憶體而言，隨著高階 eSSD 產品的銷售比重提升，而且平均售價（ASP，Average Selling Price）也有所上升，成功實現扭虧為盈，其對公司具有重要意義。 」
公司展望未來，以 AI 為導向的記憶體需求不斷成長，普通 DRAM 產品需求也將從下半年起恢復，因此今年半導體記憶體市場將呈現穩定的成長趨勢。 業界預測，因為 HBM 等高階產品與一般 DRAM 產品相比需要利用更大的產能（Capacity），隨著高階產品為主的產量增加，通用 DRAM 產品供應將會相對減少，於是供應商和客戶端的庫存 將會耗盡。
順應面向 AI 的記憶體需求成長的趨勢，SK 海力士決定加大於今年 3 月全球率先開始生產的 HBM3E 產品供應，並拓展其產品的客戶群。 同時，該公司將在今年內推出第五代 10 奈米級（1b）32Gb DDR5 DRAM 產品，以加強面向伺服器的高容量 DRAM 產品的市場領導力。
就 NAND 閃存，SK 海力士為了維持績效改善的趨勢，將推進產品優化。 以公司具有較強競爭力的高性能 16 組通道 eSSD 產品、子公司 Solidigm 的四層單元（QLC*）高容量 eSSD 產品為中心著重提高產品銷售。 同時，該公司也將透過適時推出用於 AI PC 的第五代 PCIe cSSD，並以最佳產品線來應對市場需求。
* 四層儲存單元（QLC）：NAND 快閃記憶體憑藉資料儲存方式，可分為每個單元可儲存 1 位元資料的單層儲存單元（SLC，Single Level Cell），儲存 2 位元資料的多層儲存單元（ MLC，Multi Level Cell），儲存 3 位元資料的三層儲存單元（TLC，Triple Level Cell），儲存 4 位元資料的四層儲存單元（QLC，Quadruple Level Cell）。 與具有相同單元數量的 SLC 相比，QLC 可存儲高達 4 倍的數據，因此容易實現高容量存儲，而且生產成本效率高。
此外，SK 海力士將為擴大產能適時進行投資。 該公司於本月 24 日已宣布，決定將韓國清州的 M15X 廠定為 DRAM 生產基地並加速建造。 並且也將順利推進龍仁半導體集群和美國印第安納州先進封裝工廠等中長期投資項目。
據此，今年投資規模與年初的原計劃相比會有所提升。 公司對此解釋道，此次加大投資是根據客戶需求的成長趨勢而決定，HBM 和普通 DRAM 的供應也將根據市場需求逐漸提升。 公司期待在此過程中，全球半導體記憶體市場得以穩健成長的同時，公司也能夠確保更高投資效率和財務穩健性。
SK 海力士財務擔當副社長（CFO）金祐賢表示：「憑藉 HBM 等適於 AI 的記憶體技術領先優勢，公司業績開始全面回升。今後，公司也將及時供應最高性能的產品，並繼續維持以盈利 為主經營，不斷改善公司業績。
