美國國際貿易委員會 (ITC) 最新裁定，中國英諾賽科及其子公司英諾賽科美國公司 (Innoscience America) 侵犯氮化鎵 (GaN) 技術廠商宜普電源轉換公司 (EPC) 其中一項專利，並認定 EPC 兩項專利有效。EPC 去年 5 月向美國聯邦法院跟 ITC 提起訴訟，主張四項專利受到英諾賽科及其子公司侵犯。這些專利涵蓋了 EPC 專有的增強型 GaN 功率半導體器件設計和大批製造工藝的核心技術方面。
EPC 在訴狀中指控英諾賽科招募兩名 EPC 前員工擔任技術長以及銷售主管，兩人入職後便推出一套與 EPC 明顯相同的產品，英諾賽科還宣稱自家產品在關鍵性能指標上的表現與 EPC 產品幾乎相同。隨後，英諾賽科又宣稱許多產品與市場上現有產品完全相容，並大膽進行行銷，向 EPC 客戶推銷產品套件。
因此，EPC 向美國聯邦法院和 ITC 起訴英諾賽科專利侵權並求償，希望能禁止英諾賽科將其構成侵權的 GaN 產品進口至美國。
今年 4 月 27 日，英諾賽科也就自身主張 EPC 四項專利無效事宜，美國專利商標局今年 3 月 20 日對其中兩項專利做出立案決定，同月 26 日對另兩項專利做出新的立案決定，該局正對四項專利是否有效進行最終審查。
美國專利商標局在 2024 年 3 月 20 日和 26 日做出的四個決定中，三名法官均初步同意英諾賽科的觀點，即初步同意 EPC 的四件專利無效，接下來該局將收到補充陳述意見，最晚將在明年 3 月 26 日做出最終決定。
時隔 3 個多月之後，ITC 近日初步裁定 EPC 針對英諾賽科主張的四項專利中的兩項專利有效，並認為英諾賽科侵犯專利號碼 8,350,294 的 EPC 核心專利，EPC 另一項專利 No. 8,404,508 同樣被裁定有效，但未受英諾賽科侵權。ITC 最終裁定將於 11 月 5 日公佈。
EPC 表示，此次 ITC 對其專利確認有效，鞏固了 EPC 在寬禁帶半導體行業領導地位的重要里程碑，並有可能導致今年稍晚英諾賽科相關侵權產品進入美國市場遭禁。值得注意的是，此前中國國家智慧財產權局也分別確認 EPC 在中國的對應專利的有效性。
過去 15 年，EPC 藉助自身先發優勢開發 200 多項與 GaN 相關的專利和 150 多種產品，其中包括快速發展的積體電路系列、車規級和抗輻射設備。
英諾賽科則成立於 2015 年 12 月，是一家致力於第三代半導體矽基 GaN 研發與產業化的中國高新技術企業，公司採用 IDM 全產業鏈模式，集晶圓設計、外延生長、晶圓製造、測試與失效分析於一體，主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的 GaN 功率器。
根據英諾賽科的招股書，截至去年該公司在全球有約 700 項專利及專利申請，涵蓋晶圓設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。該公司累計向約 100 名境內外客戶提供 GaN 產品，去年營收人民幣 5.93 億元，其中境外銷售收入 5800 萬元，占同期總收入的 9.8%。
從上述數據來看，若英諾賽科相關侵權產品遭美禁售，對其直接影響可能比較有限，但需要擔心的是，採用英諾賽科相關侵權的終端產品在美國市場也將面臨禁售，恐間接影響英諾賽科部分來自國內客戶的營收。
