中國記憶體大廠長江儲存在美國加州北區對美光提起訴訟，指控美光 (MU-US) 侵犯 11 項專利，涉及 3D NAND 相關技術，長江存儲請求法院勒令美光停止在美國銷售侵權記憶體產品，並支付專利使用費。
據美國科技網站 Tomshardware 報導，長江存儲表示，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）及 232 層（B58R）3D NAND Flash 以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列），侵犯長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。
這些專利申請涵蓋 3D NAND 和 DRAM 功能的一般層面。外媒認為，長江存儲的目的，是讓美光的日子更難過。
美國商務部在 2022 年底把長江儲存打入黑名單，導致該公司無法從美國公司獲得先進半導體設備來製造領先的 128 層及以上的 3D NAND Flash 器件。去年長江儲存面臨更大的問題，美國商務部禁止銷售可用於製造超過 128 個 3D NAND 的晶圓廠工具和技術。
