英飛凌 (IFNNY-US) 宣布，於 7 月 23 日在美國加州北區地方法院，對英諾賽科 (珠海) 科技有限公司、英諾賽科美國子公司及其附屬公司，提起追加訴訟，指控英諾賽科侵犯公司擁有的另外三項氮化鎵 (GaN) 技術專利。也同步向美國國際貿易委員會 (USITC) 提起申訴，當中就包括此次訴訟涉及的四項專利要求法律索賠。
早在 2024 年 3 月 14 日，英飛凌已在美國向加州北區地方法院向英諾賽科提起專利侵權訴訟，2024 年 6 月 4 日，英飛凌也向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟，並在德國同步對英諾賽科經銷商提起更多訴訟。
此外，英飛淩也成功向法院申請初步銷售禁令，並於 2024 年 6 月 12 日由慕尼克地方法院發佈，根據該法院命令，英諾賽科有義務在國際電子元件展 PCIM Europe 的攤位下架所有侵權產品。
英飛凌補充，此次也向法院尋求永久銷售禁令，以阻止英諾賽科持續販售涉及侵犯公司氮化鎵 (GaN) 專利的產品。英飛凌該專利是 GaN 功率半導體的核心，可實現英飛凌 GaN 功率半導體的性能與可靠性創新。
英飛凌強調，自家 GaN 專利處於產業領先地位，當中包括約 350 個專利家族，也在透過 2023 年 10 月收購 GaN Systems Inc，進一步強化自家矽基、碳化矽、氮化鎵等功率元件、驅動晶片和控制晶片等產品組合，擴大公司在功率半導體領域的領先地位。
