英飛凌居林三廠一期啟用 為全球最大SiC晶圓廠

英飛凌居林三廠一期啟用 為全球最大SiC晶圓廠。(圖:英飛凌提供)
英飛凌居林三廠一期啟用 為全球最大SiC晶圓廠。(圖:英飛凌提供)

英飛凌 (Infineon) 今 (8) 日宣布,馬來西亞居林三廠一期建設正式啟動運營,建設完成後,該廠將成為全球最大且最具競爭力的 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠,馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行了象徵性的啟用儀式。

英飛凌指出,高效率 8 吋碳化矽 (SiC) 功率半導體晶圓廠將進一步強化公司作為全球功率半導體領導者的地位,新廠一期建設的投資額為 20 億歐元,將專注於碳化矽功率半導體的生產,並涵蓋氮化鎵 (GaN) 的磊晶製程。

碳化矽半導體因其能更高效率地轉換電力並實現體積更小的設計,為高功率應用帶來革新,提高電動車、快速充電樁、軌道列車、再生能源系統和 AI 資料中心的效率。新廠一期建設將創造 900 個高價值就業機會。

二期建設投資金額高達 50 億歐元,將成全球最大且最高效的 8 吋碳化矽功率半導體晶圓廠。整項計畫將創造多達 4000 個就業機會。

英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示,基於碳化矽等創新技術的新一代功率半導體是實現低碳化和氣候保護的絕對先決條件,公司技術提高電動車、太陽能和風能系統以及 AI 資料中心等普遍應用的能源效率,因此在馬來西亞投資了最大且最高效的高科技碳化矽生產設施,並得到了客戶強大承諾與支持。

此外,由於半導體需求將持續增加,此次在居林的投資對英飛凌的客戶具有極大的吸引力,並且透過預付款項來支持這項計畫,這也提升了綠色轉型所需關鍵元件的供應鏈韌性。

馬來西亞總理拿督思里安華表示,英飛凌此次專案強化馬來西亞作為新興全球半導體樞紐的地位,這項重大投資將在我們的土地上建立全球最大且最具競爭力的碳化矽功率晶圓廠,創造就業機會並吸引供應商、大學和頂尖人才。

此外,這將透過促進電動化和提高包括電動汽車和再生能源等眾多應用的效率,支持馬來西亞對於氣候保護的努力。因此,馬來西亞製造的科技將成為未來全球推動低碳化進程核心的一部分。

吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西表示,英飛凌在居林的深厚根基證明該地區作為高科技產業樞紐的潛力。這項投資不僅為當地社區創造高價值的就業機會,也將促進該地區的經濟增長。政府承諾將繼續在吉打提供最佳的商業條件,並支持英飛凌在居林建立領先半導體設施的努力,這將對整個生態系統產生正面的連鎖效應。

英飛凌已獲得總價值約 50 億歐元的 design-win 訂單,並從現有和新客戶獲得約 10 億歐元的預付款,用於居林三廠 (Kulim 3) 的持續擴建。值得注意的是,這些 design-win 訂單包括來自六家車廠以及再生能源和工業領域的客戶。

居林三廠將與英飛凌在奧地利菲拉赫 (Villach) 的生產基地緊密連結,後者是英飛凌功率半導體的全球能力中心。英飛凌已於 2023 年提高了菲拉赫工廠在 SiC 和 GaN 功率半導體方面的產能。兩座生產基地緊密結合,將作為寬能隙技術的「虛擬協同工廠」 (One virtual fab),共享技術和製程,並以此實現快速量產以及平穩高效的運營。該專案還提供了高度韌性和靈活性,英飛凌的客戶將成為該專案的最終受益者。

居林工廠 8 吋晶圓生產方面已實現的巨大規模經濟效應為此次擴建打下了良好的基礎。英飛凌位於菲拉赫和德勒斯登的 12 吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位,居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升這一領先地位。

英飛凌正在加強其在整體功率半導體領域,包括矽、碳化矽以及氮化鎵的技術領導地位,在居林投資擴大寬能隙半導體的產能也有助於強化當地的產業生態系統,佐證英飛凌是馬來西亞這個快速增長的半導體樞紐內可靠的合作夥伴。

早在 1973 年,英飛凌便已於麻六甲開始運營業務。2006 年,英飛凌在居林設立了亞洲第一個前段製程晶圓廠。目前,英飛凌在馬來西亞擁有超過 16,000 名高技能員工。

英飛凌居林三廠將 100% 使用綠電,並採取最新的節能措施助力英飛凌實現碳中和目標。為了避免產生碳排放,英飛凌將採用最先進的減排系統以及兼具高能效和極低全球升溫潛能值的綠色製冷劑。除此之外,英飛凌還將採取其他能夠確保永持續運營的措施,包括採用最先進的間接材料回收流程和最先進的水資源高效利用與迴圈利用流程。英飛凌目前正在致力於獲得著名的綠色建築指數 (Green Building Index) 認證。


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