韓國媒體報導，一名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，並向中國成都高真科技 (CHJS) 洩漏 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方，外流技術的經濟價值高達 4.3 兆韓元，全案共有 21 人遭移送法辦，
報導稱，64 歲三星電子前工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕，並移送首爾中央地方檢察廳。
該男是三星電子前員工，曾以顧問身分參與創立成都高真公司，並在 2018 年經營一家未註冊的人力資源機構並收取經濟補償，以至少 2 至 3 倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才，協助在中國「復刻」DRAM 工廠，並於 2022 年 4 月成功生產半導體晶圓。
這間 DRAM 工廠從完工到投產僅費時 1 年 3 個月。 一般來說，晶圓從測試到量產通常需要 4 至 5 年。
韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達 4 兆 3000 億韓元（約新台幣 998 億元），若考慮相關經濟效益，實際損失規模更加龐大。
除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的 2 位獵人頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已挖角逾 30 名技術人員。包括前三星電子工程師在內，成都高真技術外洩案共有 21 人遭移送法辦。
儘管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。
警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業間諜。
