韓媒報導,三星已完成 HBM4 的邏輯晶片設計,採用自家 4 奈米試產,待完成最終性能驗證後,三星將提供 HBM4 樣品驗證,成為全球首支第六代 HBM。
三星試圖 HBM4 採取更積極路線,以挽回 HBM3E 流失的 HBM 市佔。除自家 4 奈米製造邏輯晶片外,HBM4 還導入 10 奈米級 1c 製程生產 DRAM,有望 16 層堆疊導入無凸塊混合鍵合。
報導引用韓國市場人士說法,運行時發熱是 HBM 的最大敵人,而在堆疊整體中邏輯晶片更是發熱大戶,採先進製程有助於改善 HBM4 能效與性能表現。
HBM 產品問世至今,HBM 技術已發展至第六代,分別為 HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,HBM3e(HBM3 的擴展版本)以及 HBM4。
去年 11 月,三星電子儲存部門執行副總裁 Jaejune Kim 在第三季財報公佈後召開的電話會議上表示,今年第三季 HBM 總銷售額環比成長超過 70%,HBM3E 8 層和 12 層堆疊產品均已量產並開始銷售,HBM3E 的銷售佔比已上升至 HBM 總銷售額的 10% 左右,預計第四季度 HBM3E 將佔 HBM 銷售額的 50% 左右。
三星的 HBM4 開發工作正在按計畫進行,目標是在 2025 年下半年開始量產。