文．蔡武穆
美國 CES 展剛落幕，科技巨頭在會場中的演說與展示的最新技術應用卻餘波盪漾，輝達執行長黃仁勳與超微執行長蘇姿丰揭示彼此策略路徑，英特爾董事長陳立武也發布最新先進工藝製程 18A 加入戰局，且黃仁勳與特斯拉創辦人馬斯克同時宣布 2026 是奇異點，顯示生成式 AI 進入落地實體應用的拐點，台股剛好也站上三萬點，哪些個股是續漲的「奇異股」，哪些又是被低估的「奇異股」，本期封面故事深入剖析 2026 奇異點中的奇異股。
AI 冷革命 3.0 微通道競賽誰勝出？
黃仁勳在 CES 展談到下一代 Vera Rubin 平台不需要用到水冷式冷卻機，瞬間澆熄市場對水冷散熱的高度期待，相關散熱股紛紛重挫，不禁令人好奇，下一代的散熱是什麼？投資方向在哪裡？
眾所皆知，AI 晶片瓦數越來越高，散熱需求從 H100 的 700W 提升到 GB300 的 1400W 未來 Rubin 會提升到 2000W~3000W 以上，散熱技術也從傳統的氣冷，進階到液冷，甚至把整台伺服器浸到水冷液裡，稱之為「浸沒式散熱」，也是現在 GB200 或 GB300 通用的散熱技術。
微通道散熱將取代浸沒式散熱
市場誤解黃仁勳的話語，Vera Rubin 並非不需要水冷散熱，而是不再搭配冰主機預冷，過去必須將水冷卻至 7°C 左右，現在用 45°C 溫水就能帶走晶片熱能 (工作溫度 80~90°C)，為何不用冰主機？其實這隱含下一代散熱技術─微通道液冷(MCL) 或微通道散熱板(MLCP)─將會取代現行的浸沒式散熱。
去年 10 月，微軟發布「微流體」散熱技術，在晶片背面蝕刻出微米級通道，讓冷卻液直接流過晶片高發熱區並將熱能帶走，比起浸沒式冷卻更接近熱點，經過實測，每平方公分可帶走 1kW 熱能，散熱效能是傳統冷板的三倍，GPU 峰值溫度可下將約 65%。由於液冷是直接通過晶片，某些情況在高溫 70°C 下依然有效，震撼散熱市場。
然而，這一項技術台積電早已研發。去年 5 月台積電在 ECT 2025 展示 IMEC-Si(矽整合微冷卻器) 技術，直接在晶圓背面蝕刻微通道，搭配 CoWoS-R 封裝與中介層整合，當冷卻水溫度上升到 60°C，散熱能力可突破 3kW，與微軟的解法大致相同，只不過牽涉到良率及製程改變，目前還在實驗階段。
綜合來看，「微流體」散熱的挑戰有三：
一、冷卻液在晶片上流動，有滲漏的疑慮，封裝技術必須再升級。
二、內部的冷卻液若有微粒或氣泡，可能阻塞通道，影響散熱效能。
三、矽晶圓加入蝕刻通道，整個製程必須大幅調整，成本會增加。
「微流體」是把散熱通道蝕刻在晶片的背面上，這道製程只有台積電能做，可以預見未來晶片散熱一定會和晶片製程整合在一起，只是目前礙於技術瓶頸未能量產。
圖片來源：Pixabay
來源：《理財周刊》1325 期
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