隨著 AI 資料中心算力與能源效率要求持續拉高，各家雲端服務供應商 (CSP) 皆加速導入 800VDC/±400VDC 的全新電源架構，帶動相關功率元件需求大增，廣閎科 (6693-TW) 高中低壓 MOSFET 已獲電源大廠採用，切入 HVDC 供應鏈，部分訂單已看至年底，法人估，廣閎科今年營收將年增雙位數、續創新高。
業界指出，AI 電源架構正快速升級，從高壓電力進入資料中心後，透過集中式整流再分層降壓至各機櫃，以減少電力損耗、提升能源效率，由於電壓大幅提升，對 MOSFET 的顆數、抗壓能力及可靠度需求皆大幅提升，功率元件也成為此次 HVDC 改革的大贏家之一。
廣閎科受惠 HVDC 需求，迎來三大動能，除受惠高中低壓 MOSFET 與散熱所需的 BLDC 需求強勁，BBU 經歷多年耕耘，出貨量也自去年第四季起逐步提升，預計今年將顯著放大，帶動訂單已看到今年中，部分訂單甚至看至年底，預期在 AI 資料中心不斷建置下，相關需求只增不減。
針對 HVDC 各環節，廣閎科皆有產品布局，高壓 650V 的 SiC Diode/MOSFET 已經導入客戶端，正進行小量驗證，可因應 400VDC 規格，隨著未來電源架構進入 800VDC，也進一步推出 1200V SiC Diode/MOSFET，可滿足客戶需求。
另外，隨著電壓進入分層降壓，廣閎科已推出 48V 架構所需的 80-100V MOSFET，以及 12V 所需的 30-40V 低阻抗高電流 MOSFET，對應 AI 伺服器從高壓輸電到多段降壓的需求。
BBU 方面，廣閎科歷經兩年多耕耘，相關 MOSFET 打入多家國際大廠，去年第四季開始小量放量，今年第一季起正式進入量產階段，成為今年主要成長動能之一。
展望後市，隨著 800VDC 電源架構逐步成形，且 BBU 與 AI 伺服器陸續放量，廣閎科因產品布局完整，可望為未來數年營運奠定成長動能。
