三星急起直追 今年HBM4業績估跳增3倍 下半年出HBM4E樣品

全球記憶體大廠三星今 (12) 日宣布，正式量產 HBM4 產品，並完成業界首次出貨，預期今年 HBM 業績將較 2025 年增長超過 3 倍，並積極擴大 HBM4 的產能，並預計於 2026 年下半年開始出貨 HBM4E 樣品，並將依客戶各別的規格需求，於 2027 年開始提供客戶客製化 HBM 樣品。

三星指出，HBM4 採用最先進的第六代 10 奈米級 DRAM 製程 (1c)，量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能，無需額外重新設計即順利完成。

三星執行副總裁暨記憶體開發負責人 Sang Joon Hwang 表示，有別於傳統採用既有驗證設計的路徑，三星在 HBM4 上採用了 1c DRAM 和 4 奈米邏輯製程等最先進節點。憑藉製程競爭力與設計最佳化能力，確保充足的效能空間，在客戶需要時，就能滿足其不斷提升的高效能需求。

三星 HBM4 提供穩定的 11.7Gbps 的處理速度，相較業界標準 8Gbps 提升約 46%，為 HBM4 效能樹立了全新基準。

相較於前代產品 HBM3E 的最高針腳速度 (pin speed) 9.6Gbps，HBM4 提升約 1.22 倍，還可進一步提升至 13Gbps，有效紓解隨 AI 模型規模持續擴大所帶來的資料瓶頸問題。

此外，單一堆疊的總記憶體頻寬也較前代增加 2.7 倍，最高達到每秒 3.3TB(TB/s)。三星 HBM4 採用 12 層堆疊技術，提供 24GB 至 36GB 容量。透過運用 16 層堆疊，容量選項可擴充至 48GB，以配合客戶的時程需求。

為了應對資料 I/O 數量從 1,024 個增加至 2,048 個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心裸晶 (core die) 中整合了先進的低功耗設計解決方案。透過運用低電壓直通矽晶穿孔 (TSV) 技術與電源分佈網路 (PDN) 最佳化，HBM4 相較於與 HBM3E，在功耗效率提升了 40%，熱阻改善 10%，散熱效果提高 30%。

憑藉卓越效能、出色能源效率與產品可靠性，三星 HBM4 專為未來的資料中心環境所打造，協助客戶最大化 GPU 吞吐量，並有效優化整體擁有成本 (TCO)。

三星致力於透過全面的製造資源推動 HBM 發展，作為業界最大的 DRAM 產能與支援基礎設施供應商，確保供應鏈韌性，以應對預期激增的 HBM4 需求。

透過晶圓代工與記憶體部門之間緊密整合的設計技術整合優化 (DTCO)，三星確保最高標準的品質與良率。此外，三星內部具備豐富的先進封裝技術能力，可有效縮短生產週期與交期。

基於與專注開發新世代 ASIC 晶片的全球 GPU 製造商及超大規模資料中心業者的密切討論，三星計劃擴大與主要夥伴的技術合作範圍。