人工智慧 (AI) 熱潮持續推升記憶體族群表現，美光科技 (MU-US)、SK 海力士 (000660-KR) 與三星電子 (005930-KR) 近期股價強勢上攻，成為本波 AI 投資主線的最新贏家。不過，分析人士提醒，記憶體產業向來具高度循環性，當前榮景背後已開始浮現中長期風險訊號。
市場預期，美光下月公布截至 2 月的季報時，營收將較去年同期翻倍以上，獲利更可能暴增逾五倍，反映 AI 伺服器對高頻寬記憶體 (HBM) 與 NAND 快閃記憶體需求爆發。瑞銀預估，2026 年第一季 DRAM 合約價將季增 62%，NAND 價格也可望上漲約 40%，顯示供需仍處高度緊俏。
分析指出，AI 伺服器需要大量 HBM 來處理資料，而 HBM 生產極度耗用晶圓產能，每單位約為傳統記憶體三倍，排擠效應進一步推升整體記憶體價格。
TrendForce 預估，全球記憶體市場規模將在 2026 年達到 5516 億美元，2027 年擴大至 8427 億美元。
儘管短期基本面強勁，市場也開始關注擴產循環可能帶來的後座力。Futurum 半導體與基礎建設股票研究主管 Rolf Bulk 指出，歷史經驗顯示，資本支出往往是供給過剩的領先指標，而價格走平通常意味產業循環接近轉折點。
目前三大記憶體廠正同步擴大投資。
美光已承諾投入約 2000 億美元擴建美國產能，SK 海力士與三星也計畫提高資本支出。不過，由於無塵室與先進產線建置需時，短期新增供給有限。
美光預估，2026 年 DRAM 與 NAND 出貨量年增約 20%，全年需求仍將大於供給。產能結構預料要到 2027 年中才可能出現明顯變化，屆時美光愛達荷州 500 億美元新廠將開始投片；SK 海力士龍仁園區預計 2027 年底量產，其後 2028 年與美光紐約大型計畫將陸續加入。
整體而言，市場普遍預期記憶體供給吃緊態勢至少還會維持 12 至 18 個月。NAND 市場雖另有 Sandisk (SNDK-US) 與鎧俠參與，結構較為複雜，但整體產能同樣看緊至 2027 年中前。
潛在變數方面，中國廠商擴產動向備受關注。長鑫存儲 (CXMT) 與長江存儲正持續擴張，但受限於先進設備出口管制與內需優先策略，短期對全球供給衝擊仍有限。不過，若缺貨情況加劇，部分硬體廠可能評估導入中國供應。
另一項長期變數來自新記憶體技術。英特爾與軟銀近期宣布合作開發 Z-Angle Memory，目標在 AI 資料中心提供比 HBM 更高容量與更低功耗，但目前仍屬早期研發階段，商業化時程指向 2030 年。
在投資策略上，分析師指出，美光是美股投資人最直接的記憶體標的；SK 海力士在 HBM 領域具領先優勢，三星則提供較分散布局。部分投資人也透過 iShares MSCI 南韓 ETF (EWY-US) 參與韓國記憶體雙雄。
值得注意的是，即使記憶體景氣可望延續至 2027 年中，循環股估值往往會在供給真正過剩前就開始收縮。分析人士提醒，本波記憶體超級循環雖具吸引力，但投資人仍須密切關注資本支出、價格動能與產能釋放節奏，審慎掌握進出場時機。
