自去年下半年以來，全球記憶體晶片市場迎來新一輪漲價潮，手機製造商面臨成本飆升壓力，市場傳出蘋果正評估將中國長鑫存儲與長江存儲納入供應鏈，此舉不僅凸顯產業鏈格局變化，更引發市場對中國國產晶片能否借勢崛起的關注。
根據「CFM 閃存市場」數據，DDR5 16Gb eTT 記憶體晶片價格從去年 8 月每顆 4.1 美元暴漲至本月的 24 美元，半年飆漲 583%。
智慧手機主要採用的 LPDDR5X 記憶體價格更在今年首季季增 88%-93%，PC 端 DDR4/DDR5 記憶體漲幅更達 105%-110%。
南韓記憶體晶片龍頭三星與 SK 海力士均已通知蘋果，今年首季 LPDDR 晶片報價將分別調漲 80% 與近 100%，顯示供應鏈緊張程度。
面對國際巨頭漲價壓力，蘋果傳出正與長鑫、長江存儲接洽。長鑫存儲招股書顯示，其 LPDDR5X 產品速率達 10667Mbps，功耗較前代降低 30%，已進入小米、OPPO、傳音等供應鏈。
蓉和半導體諮詢 (RHCC) 執行長吳梓豪指出，儲存晶片驗證會從低階產品開始，若通過測試，即便老款手機也能採用。長江存儲的第五代 3D NAND 晶片堆疊層達 294 層，比特密度接近國際領先水平，長江存儲的車用級晶片更通過 AEC-Q100 認證，打入小鵬、問界供應鏈。
此輪記憶體漲價潮源自於 AI 伺服器與智慧手機需求共振。AI 伺服器記憶體需求是傳統機型的 8 倍，驅動 HBM、DDR5 等高端晶片供不應求。三星、SK 海力士將 HBM 產能轉向大客戶，導致 DDR4 等傳統產品供給銳減，出現「前代漲價超過新一代」的異常現象。
根據集邦諮詢預測，NAND 快閃記憶體今年首季價格將續漲 55%-60%，DRAM 漲勢更猛。
中國國產廠商正加速技術突破。長鑫存儲 19 奈米 DRAM 良率超 95%，長江存儲 Xtacking 架構 3D NAND 成本較三星低 20%，獲得東南亞資料中心 35% 訂單，兆易創新車規級 SPI NOR Flash 全球出貨量突破 2 億顆，涵蓋智能座艙等場景。
東芯半導體則聚焦車規級 EEPROM，不良率低於 5ppm，適配 ADAS、雷射雷達等關鍵系統。
業界人士指出，記憶體晶片產業呈「技術驅動」新特徵。HBM、DDR5 等高端產品技術壁壘明顯，但中低階市場仍存在替代空間。隨著車規認證體系完善，中國國產晶片在智能汽車領域滲透率快速提升，去年車規存儲市場規模預計突破 100 億美元。
儘管國際巨頭仍佔據 70% 份額，但中國國產廠商正從利基市場向核心賽道滲透，技術差距縮短至 1-2 代。
市場分析認為，此輪漲價潮在中國恐重現 2016-2018 年車規晶片供應危機後的國產替代路徑。當時車規認證促使國產晶片打入汽車供應鏈，此次記憶體漲價同樣可能成為產業升級契機。
不過，業內警告需警惕產能過剩風險，AI 驅動的需求增長能否持續，將決定這波「超級週期」的最終走向。
