記憶體超級周期 RBC上調美光目標價

加拿大《紀事日報》(The Chronicle-Journal) 報導，隨著生成式人工智慧快速擴張，記憶體市場正從過去典型的景氣循環模式，轉向長期結構性需求成長，產業有望進入持續數年的「記憶體超級周期」。

加拿大皇家銀行資本市場 (RBC Capital Markets) 指出，此次上調評價的核心原因，在於 AI 基礎設施對高頻寬記憶體 (HBM) 與企業級儲存需求急速增加，使記憶體從過去被視為低毛利的標準化商品，轉變為 AI 硬體架構中最關鍵的資源之一。

RBC 估算，美光 2027 年的獲利能力將顯著提升，新目標價約相當於 2027 年預估每股盈餘的 7 倍本益比，同時也反映公司晶圓廠資產價值上升，估值約為 2027 年底帳面價值的 2.7 倍。

供給端收緊是推升記憶體價格的重要因素。美光執行長梅羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 先前表示，公司 2026 年的 HBM4 產能已在長期合約下全數售罄，顯示雲端與 AI 資料中心業者正提前鎖定產能，以確保未來運算基礎設施供應穩定。

在 RBC 報告發布後，美光股價週一盤前上漲約 4.2%，並帶動費城半導體指數同步走高，開盤後股價持續攀升，收紅超 3% 至每股 441.80 美元，費半指數勁揚近 2%。

業界人士指出，目前記憶體供應緊張的程度前所未見，部分 DRAM 合約價格預計在 2026 年較 2025 年大幅上漲。

記憶體需求升溫也對整個科技產業產生連鎖效應。Western Digital (WDC-US) 與希捷科技 (STX-US) 受惠於企業級固態硬碟需求成長，逐步將重心從消費性電子市場轉向資料中心基礎設施。

不過，對 AI 硬體公司而言，記憶體價格上漲同時帶來成本壓力。輝達 (NVDA-US) 等 GPU 製造商高度依賴 HBM 記憶體來支援 AI 晶片運算能力，若記憶體價格持續攀升，未來可能對部分硬體供應商毛利率造成影響。

另一方面，消費電子市場則可能面臨供應壓縮。隨著記憶體廠商將產能優先投入 HBM 與 DDR5，高階 AI 記憶體產品占用更多晶圓產能，傳統筆電與手機記憶體供應可能收緊，進而推升終端產品價格。

RBC 指出，目前的產業環境與過去記憶體周期明顯不同。過去市場通常因過度擴產而導致價格崩跌，但 HBM4 製程難度極高，加上設備供應商如 ASML (ASML-US) 的設備交期長，使產業短期內難以迅速擴充產能。

這種供需結構變化，使記憶體逐漸從標準化零組件轉變為 AI 基礎設施的核心資產。透過先進封裝技術，記憶體與處理器整合程度提高，使美光與輝達 (NVDA-US)、超微 (AMD-US) 等 AI 晶片公司形成更緊密的合作關係。

此外，隨著 AI 成為各國科技競爭核心，市場也開始討論「記憶體主權」概念。美光在美國本土擴建製造產能並獲得《晶片法案》支持，為公司帶來一定程度的地緣政治優勢。

展望未來，市場將關注美光今年第二季財報以及資本支出計畫。若公司持續加碼 HBM 產能投資，市場普遍認為將進一步強化 2027 年 AI 需求前景。RBC 表示，在 AI 算力需求持續擴張的背景下，市場過去對記憶體產業套用的「周期折價」正在逐漸消失。若資料中心投資保持強勁，美光有望在 AI 基礎設施浪潮中持續扮演關鍵角色。