美光科技 (MU-US) 股價三年內暴漲 935%，而分析師預估其市值五年後可望達到 1.45 兆美元，較當前水準再上漲約 83%。儘管外界擔憂記憶體產業重蹈供過於求的覆轍，但分析認為，根據多項結構性因素，這波人工智慧（AI）驅動的記憶體榮景仍有相當大的持續空間。
《The Motley Fool》分析指出，記憶體市場的長期成長趨勢顯示，該產業仍有相當大的擴張空間，美光的營收成長在明年之後，可能不會明顯放緩。
分析師預期，美光在本會計年度（截至 2026 年 8 月）的營收，將較去年的 374 億美元接近成長三倍。
報導預測，若美光在 2028 至 2030 會計年度每年營收維持 15% 的保守成長率，五年後營收可望觸及 2,630 億美元。以那斯達克指數市銷率 5.5 倍估算，屆時公司市值可達 1.45 兆美元。
分析師更指出，考慮到美光未來至 2030 年間可能維持強勁成長，理應享有高於市場平均的溢價估值，該股實際漲幅有機會遠超上述保守預測。
HBM 需求爆發，供給缺口延伸至 2030 年
支撐美光長線行情的核心引擎，是資料中心對高頻寬記憶體（HBM）的龐大需求。
AI 運算工作負載要求記憶體晶片同時具備高速傳輸與低耗能特性，而 HBM 正是滿足此需求的關鍵元件。
市場研究機構預測，2026 年 HBM 營收將年增 58% 至約 550 億美元，至 2030 年整體市場規模更可望擴張至 1,300 億美元，顯示目前的記憶體熱潮確實具備長期性。
HBM 的長期成長預測也意味著，未來資料中心需求仍將主導整個記憶體產業。目前資料中心已預計消耗今年全球記憶體供應量的 70%，部分科技大廠更已與美光簽署長達五年的長期供貨協議，提前鎖定未來貨源。
值得注意的是，HBM 需求激增，也正在擠壓其他應用所需記憶體晶片的供應，例如智慧手機與 PC 市場。
根據《Tom"s Hardware》報導，HBM 的晶圓耗用量約為智慧手機與 PC 使用的傳統 DDR5 動態隨機存取記憶體（DRAM）三倍，迫使記憶體廠商大幅削減 DRAM 產能。
與此同時，興建新晶圓廠耗時 2 至 4 年，短期內根本無法快速補充供給，因此業界普遍認為，記憶體供不應求的格局預計持續至 2030 年。
泡沫疑慮仍在，歷史教訓不可不防
然而，市場對泡沫風險的憂慮並非空穴來風。記憶體產業素以「繁榮與蕭條」交替著稱，過去一旦供需失衡，便會引發劇烈震盪。
例如，美光在截至 2023 年 8 月的 2023 會計年度便經歷了一段相當低迷的時期。當年因智慧型手機與個人電腦需求急凍，記憶體嚴重供過於求，導致營收腰斬、公司由盈轉虧，股價也曾一度重挫。
不過，分析師認為這次情況有別於以往。即便未來記憶體廠商成功擴產以滿足 HBM 需求，傳統記憶體的供給缺口同樣有待填補。
目前記憶體短缺與高價，已造成智慧型手機與個人電腦出貨量明顯下滑，一旦供給回穩，龐大的遞延需求將接力推升美光的營收成長，使其不至於在 AI 需求趨緩後陷入真空。
自 2024 年重返成長軌道以來，美光已連續數季繳出亮眼成績。在 AI 基礎建設持續擴張、HBM 供需缺口短期難解的背景下，多數分析師認為，這波記憶體榮景的能見度，遠比市場所擔憂的更為清晰。
