德意志銀行研究部門於週六（20 日）發布報告指出，AI 浪潮對高頻寬記憶體（HBM）的龐大需求，正在排擠傳統記憶體晶片產能，引發一場規模空前的「儲存晶片短缺危機」，甚至開始向整體宏觀經濟蔓延。
德銀強調，記憶體晶片已不再只是傳統的週期性大宗商品，而是演變成牽動通膨與企業獲利的重要宏觀經濟變數，其衝擊力道已超越半導體產業本身，正逐步擴散至整體經濟層面。
報告指出，這波記憶體短缺並非傳統的「繁榮與蕭條」週期重演，而是一場由 AI 驅動的結構性供給衝擊。
隨著 AI 應用從生成式邁向「 AI 代理」（AI Agent）階段，系統需要儲存並調用歷史資料、保留對話脈絡，須仰賴 DDR5、LPDDR、NAND 等多種記憶體協同運作。
德銀特別點出所謂「記憶體牆」現象：當運算效能超過一定門檻後，若記憶體頻寬無法同步擴張，單純增加算力的邊際效益將趨近於零。換言之，AI 發展速度如今已由記憶體供應決定，而非單純取決於運算晶片的進展。
該行股票分析師預估，HBM 需求到 2030 年的年複合成長率約達 40%，標準 DRAM 則約 21%。與此同時，Meta(META-US) 、亞馬遜 (AMZN-US) 、微軟 (MSFT-US) 等雲端業者，已透過支付溢價及簽署多年期合約來鎖定供應。
供給端的核心問題在於時間落差。記憶體晶圆廠從動工到量產通常需要 2 至 3 年，目前已宣布的擴產計畫，最快也要到 2027 年才能對 HBM 產能產生實質貢獻。
此外，HBM 生產特性也加劇了供需矛盾。生產同等單位的 HBM，所消耗的矽晶圓約為一般 DRAM 的 3 倍，隨著 HBM4、HBM4e 等新一代技術推進，這個比例還將攀升至 4 倍。
換句話說，每一片投入 HBM 生產的晶圓，等同排擠掉原本可用於汽車、PC 等終端市場的標準 DRAM/NAND 產能。
德銀最新估算顯示，未來五年全球 DRAM 每月晶圓產能將增加約 147.5 萬片，但需求成長速度仍將持續超越供給擴張的步調。
通膨壓力擴散 消費電子、汽車產業同受重創
由於記憶體本質上是零和賽局，用於 AI 伺服器的 HBM 晶圓越多，可分配給智慧型手機、PC、汽車的容量就越少。
這股壓力已從晶片端傳導至終端產品與宏觀價格指標：
- 市調機構 TrendForce 預估，2026 年第二季標準 DRAM 合約價格將環比上漲 58% 至 63%，NAND 快閃記憶體合約價格漲幅更達 70% 至 75%；
- 德銀估計 2026 全年消費類電子終端市場營收將年減 15%；
- DRAM 成本上升預計使一般車輛售價上漲 150 至 300 美元，高階自駕車型漲幅可達 400 至 600 美元；
- 美國電子零組件生產者物價指數（PPI）在 2026 年 5 月年增 26.9%，遠高於今年 1 月的 5.9%。
高通已明確表示，2026 年手機市場規模將由 DRAM 供給能力決定，而非消費者實際需求，凸顯傳統終端產業正面臨嚴峻的產能配給壓力。
贏家輸家分明 美光獲調升目標價
德銀報告指出，這波危機正重新塑造產業利益分配。
其中，超大規模雲端服務商（如 Meta、亞馬遜、微軟）與頭部記憶體廠商（如美光），是明顯贏家，擁有強勁定價權；反觀汽車、PC、智慧型手機等傳統消費電子產業則面臨利潤壓縮與產能短缺的雙重打擊。
此外，高通已明確表示，2026 年手機市場的規模將由 DRAM 供給決定，而非消費者需求。
值得留意的是，目前全球記憶體市場高度集中，三大廠商 SK 海力士、美光、三星合計掌控逾 90% 的 DRAM 市占率，且三家市值均已突破 1 兆美元。
美光科技 (MU-US) 方面僅能滿足關鍵客戶 50% 至三分之二的需求。德銀已將美光目標價自 1000 美元上調至 1500 美元，維持「買入」評等，並預期記憶體短缺局面將持續至 2028 年；美光股價今年以來已上漲約 260%。
摩根大通同樣上修 2026 至 2028 年全球記憶體市場規模預測，調升幅度達 37% 至 53%，預估 2028 年市場總規模將達 1.7 兆美元，其中 DRAM 市場營收預計由 2025 年的 1430 億美元躍升至 2026 年的 6360 億美元。
分析人士提醒，記憶體成本飆升正轉化為直接的物價壓力，若供需失衡持續數年，通膨壓力恐難以快速緩解。
此外，如此龐大的 AI 資本支出能否長期持續仍存在不確定性，一旦 AI 商業化進展不如預期，目前的供需格局也可能出現逆轉。
