超預期！台積電2026中國技術論壇登場 估全球半導體今年破兆美元 N2與CoWoS產能狂飆

台積電週四 (25 日) 在上海國際會議中心舉辦「2026 年中國技術論壇」(閉門會議），向客戶與合作夥伴揭示最新製程研發進度、先進封裝藍圖及產能擴張計畫。

中國《上海證券報》報導，台積電預估，受惠 AI 與高效能運算 (HPC) 爆發性需求拉動，全球半導體市場將在今年突破 1 兆美元大關，並於 2030 年達到 1.5 兆美元，其中 HPC 與 AI 領域貢獻占比高達 55％，智慧手機約占 20％，汽車與物聯網各約一成。

業內人士指出，台積電作為全球晶圓代工龍頭，製程與封裝擴產節奏向來是產業風向球，本次論壇釋出訊號再度堅定市場對 AI 長週期的信心，半導體設備與材料供應鏈可望率先受惠於新一波擴產大潮。

身為全球最先進邏輯製程領航者，台積電 2 奈米 (N2) 製程已於 2025 年第四季進入量產，良率學習曲線優於同期的 3 奈米 (N3)。

根據台積電說明，N2 家族成員將依序到位：N2P(2 奈米效能強化版) 預計 2026 年下半年量產；搭載超級電軌 (Super Power Rail) 背面供電架構的 A16 製程，同樣鎖定 2026 年下半年生產就緒；進階版本 N2X 與 N2U 則分別規劃於 2027 年及 2028 年問世。

晶體管架構方面，台積電指出，產業已從平面 MOSFET 演進至 FinFET，目前正邁向奈米片 (Nanosheet) 架構，未來垂直堆疊 nFET 與 pFET 的互補場效電晶體 (CFET) 則被視為下一世代微縮候選方案。

台積電近期亦展示全球最小可運作之 6T SRAM 記憶單位，較傳統奈米片設計規則下面積縮小約 30%，凸顯製程微縮持續推進。

AI 訓練與推論對 I/O 頻寬及異質整合要求日增，台積電在會中強調，CoWoS 先進封裝是當前 AI 晶片的關鍵推手。

台積電今年宣布全球最大 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 已進入量產，良率逾 98%，未來五年 CoWoS 技術將逐年放大尺寸，以整合更多邏輯晶粒與 HBM，可整合 20 個 HBM 之 14 倍光罩尺寸版本預計 2028 年量產，整合 24 個 HBM、逾 14 倍光罩尺寸版本則於 2029 年準備就緒。

在系統級晶圓 (TSMC-SoW™) 異質整合技術上，台積電可將中介層擴展至超過 40 倍光罩尺寸，支援最多 64 個 HBM 與 16 顆運算晶片整合；其中 SoW-P 自 2024 年起量產，更先進可整合邏輯與 HBM 的 SoW-X 預計 2029 年到位。

相較 2.5D 互連之 CoWoS，具 3D 互連能力的 SoIC(System on Integrated Chip) 先進封裝可提供 56 倍互連密度與 5 倍功耗效率，台積電規劃 2028 年實現 N2 對 N2 堆疊、鍵合間距 6μm 量產，2029 年進一步微縮至 A14 對 A14 堆疊、鍵合間距 4.5μm。

為滿足客戶對 AI 加速器與 HPC 晶片強勁需求，台積電持續加速擴產腳步。2017 至 2024 年平均每年新建 4 座晶圓廠，2026 年規劃新建多達 9 座廠區。

台積電並披露 2022 至 2026 年客戶對 AI 加速器晶圓需求成長 11 倍，大晶粒晶圓需求成長 6 倍。先進製程部分，N2/A16 產能預計 2026 至 2028 年年複合成長率 (CAGR) 達 70％，N3 與 N5 成熟先進製程產能 2022 至 2027 年年增 25%，N2 首年晶圓產出較 N3 同期多出 45%。

先進封裝 CoWoS 與 SoIC 產能亦計畫在 2022 至 2027 年間以年複合成長率超過 80% 擴張。

業內人士分析，台積電本次論壇傳遞三大核心訊息：一、實質破除 AI 泡沫疑慮，需求增速已超過原有擴產規劃；二、先進封裝是未來 5 至 10 年核心成長賽道，Yole 預估全球先進封裝市場將從 2025 年約 540 億美元翻倍至 2031 年的近 1090 億美元，2.5D/3D 封裝為主力；三、晶圓製造與先進封裝同步擴產，使前道八大製程設備 (光刻、蝕刻、薄膜沉積、離子注入、CMP、清洗、檢測量測等) 及後道封裝九大環節相關設備與材料供應商，可望率先迎來訂單挹注。