AI排擠傳統記憶體產能 全球面臨「晶片結構性通膨」挑戰

2026年07月01日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 隨著AI模型規模持續擴大，高頻寬記憶體（HBM）需求快速攀升，三星Samsung(005930-KS)、SK海力士SK Hynix(000660-KS)及美光Micron Technology(MU-US)持續將先進製程產能轉向HBM生產，使傳統DRAM與NAND供給同步收縮，價格漲勢從AI伺服器一路擴散至PC、智慧手機、汽車及工業設備等終端市場，市場開始以「Chipflation（晶片結構性通膨）」形容這波由AI驅動的成本上升現象。

價格變化已反映供需失衡正在擴大。TrendForce統計，2026年第二季伺服器DRAM合約價格季增率達50%至55%，漲幅已超過HBM年度價格調整幅度。自2022年以來，商用DRAM價格累計上漲700%；手機用Mobile DRAM單季價格上漲78%；筆記型電腦SSD價格一年內翻倍，車用低容量DRAM價格也上漲超過50%，顯示記憶體價格已全面走高，而非侷限於AI相關產品。

成本壓力也開始向總體經濟傳導。美國電子零組件生產者物價指數（PPI）年增率達26.9%，反映記憶體供應吃緊已推升電子零組件成本。德意志銀行指出，PC與智慧手機品牌將陸續調漲產品售價15%至20%，汽車製造商則開始重新評估部分智慧駕駛功能配置，以控制零組件成本。

供給重分配是這波價格上漲的核心原因。目前全球DRAM市場超過95%的產能掌握在三星、SK海力士及美光手中。由於HBM毛利率超過70%，明顯高於傳統DRAM約40%，記憶體大廠持續將有限的12吋晶圓產能優先投入HBM生產，使DDR4、DDR5等通用型記憶體供應持續緊縮。

需求結構也同步改變。AI伺服器已成為DRAM最大應用市場，伺服器需求占整體DRAM需求比重突破50%；TrendForce估計，2026年全球約七成高階記憶體產能流向AI資料中心，其餘產能仍須供應PC、智慧手機、汽車、醫療設備、工業自動化及通訊設備，使非AI產業共同分配有限供給，形成長期結構性失衡。

供需失衡也引發監管關注。美國加州聯邦法院日前受理針對三星、SK海力士及美光的集體訴訟，原告指控三家公司同步縮減傳統DRAM產能，推升市場價格。雖然案件仍待審理，但由於新建12吋晶圓廠需18至24個月，即使業者持續擴產，新增產能短期內仍可能優先投入HBM，因此市場普遍認為，司法程序難以迅速改善供給吃緊的局面。

值得注意的是，這波價格上漲已不同於過去由景氣循環帶動的記憶體行情，而是AI重新配置全球半導體資源所形成的新供需結構。當有限產能持續流向高獲利的AI市場，傳統終端應用將面臨更高的零組件成本，記憶體價格也可能成為影響電子產品售價與企業資本支出的長期變數。

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